[發明專利]一種光刻膠做厚的方法無效
| 申請號： | 201210488190.7 | 申請日： | 2012-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN103838087A | 公開（公告）日： | 2014-06-04 |
| 發明（設計）人： | 李玉華 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/16 | 分類號： | G03F7/16;B05D7/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光刻 膠做厚 方法 | ||
1.一種光刻膠做厚的方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供待涂布的半導體晶片，向所述靜止狀態下的半導體晶片表面中央或接近中央的區域噴出RRC，以旋轉速度R1旋轉所述的半導體晶片；
增加旋轉速度到R2，并向所述的半導體晶片表面中央或接近中央的區域噴出光刻膠；
降低旋轉速度到R3為200RPM～500RPM，旋轉5s～15s進行預勻膠；
增加旋轉速度到R4進行勻膠；
降低旋轉速度到R5進行邊洗；
以旋轉速度R6對背面進行清洗；
以旋轉速度R7再次進行邊洗；
以旋轉速度R8甩干清洗溶劑。
2.根據權利要求1所述的光刻膠做厚的方法，其特征在于：所述的旋轉速度R1為1500RPM～2500RPM，旋轉0.5s～1.5s。
3.根據權利要求1所述的光刻膠做厚的方法，其特征在于：所述的旋轉速度R2為3000RPM～4500RPM，旋轉0.1s～1.0s。
4.根據權利要求1所述的光刻膠做厚的方法，其特征在于：所述的旋轉速度R4為1000RPM～3000RPM，旋轉10s～25s。
5.根據權利要求1所述的光刻膠做厚的方法，其特征在于：所述的旋轉速度R5為1000RPM～2000RPM，旋轉1.5s～3s。
6.根據權利要求1所述的光刻膠做厚的方法，其特征在于：所述的旋轉速度R6為1000RPM～2000RPM，旋轉3s～7s。
7.根據權利要求1所述的光刻膠做厚的方法，其特征在于：所述的旋轉速度R7為1000RPM～2000RPM，旋轉1.5s～3s。
8.根據權利要求1所述的光刻膠做厚的方法，其特征在于：所述的旋轉速度R8為1000RPM～2000RPM，旋轉5s～10s。
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