[發(fā)明專利]一種在基片上形成AZO膜的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210487396.8
• 申請日: 2012-11-26
• 公開（公告）號: CN103014675A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊柳;劉昕;曹林站
• 申請（專利權(quán)）人: 中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50;C23C16/40
• 代理公司: 中山市漢通知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44255
• 代理人: 田子榮;石仁

技術(shù)領(lǐng)域：

本發(fā)明涉及一種在基片上形成AZO膜的裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的AZO膜成型裝置，一般采用化學(xué)氣相沉積法形成AZO膜層（即摻雜氧化鋅膜層），但其形成的AZO膜層，不均勻。故有必要提供一種新的利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在基片上形成AZO膜層的裝置。

發(fā)明內(nèi)容：

本發(fā)明的目的在于提供一種在基片上形成AZO膜的裝置，其可在基片上形成厚薄均勻的AZO膜層。

一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于：包括

一真空反應(yīng)系統(tǒng)，包括一真空反應(yīng)腔；

一放電系統(tǒng)，設(shè)于真空反應(yīng)腔內(nèi)，包括兩平行設(shè)置的電極板，用以產(chǎn)生等離子體；

一電源系統(tǒng)，與所述電極板連接并為電極板供電；

一加熱溫控系統(tǒng)，包括設(shè)于真空反應(yīng)腔內(nèi)的一電極板上的反應(yīng)源加熱臺以及襯底加熱臺，反應(yīng)源加熱臺用以對設(shè)于其上的反應(yīng)源物質(zhì)進(jìn)行加熱使反應(yīng)源物質(zhì)升華成氣態(tài)，襯底加熱臺用以對設(shè)于其上的基片進(jìn)行加熱；

一氣體導(dǎo)入系統(tǒng)，與真空反應(yīng)腔連接并向真空反應(yīng)腔內(nèi)導(dǎo)入載氣，該載氣用以將升華成氣態(tài)的反應(yīng)源物質(zhì)導(dǎo)至設(shè)于襯底加熱臺上的基片表面；

一壓力測量系統(tǒng)，用以測量真空反應(yīng)腔內(nèi)的氣體壓力變化；以及

一抽氣系統(tǒng)，與真空反應(yīng)腔連接并抽吸反應(yīng)尾氣。

本發(fā)明可通過如下方式進(jìn)行改進(jìn)：

上述所述氣體導(dǎo)入系統(tǒng)的出氣口伸入真空反應(yīng)腔內(nèi)并與所述基片垂直。

上述所述出氣口為錐形蓮蓬頭出氣口。

上述所述抽氣系統(tǒng)包括與真空反應(yīng)腔依次氣路連接的過濾器、電磁閥、真空泵以及尾氣吸收處理器。

上述所述氣體導(dǎo)入系統(tǒng)包括分別與真空反應(yīng)腔連接的氬氣瓶和氮?dú)馄浚瑲鍤馄亢偷獨(dú)馄颗c真空反應(yīng)腔的連接氣路上分別連接有減壓閥和流量計。

上述所述壓力測量系統(tǒng)包括用以測量真空壓力上限值的電離真空計管和用以測量真空壓力下限值的皮拉尼規(guī)管。

還包括控制系統(tǒng)，該控制系統(tǒng)與所述加熱溫控系統(tǒng)、壓力測量系統(tǒng)、以及流量計電連接。

上述所述真空反應(yīng)腔是直徑為400mm、高度為320mm的真空筒體。

上述所述電極板是20cm*20cm的方形銅板，兩電極板間的距離為5~10cm。

上述所述電源系統(tǒng)為高頻電源，其頻率在50KHZ~2.45GHZ之間，通常取40MHZ，最大輸出功率為1KW。

與現(xiàn)有AZO膜成型裝置相比，本發(fā)明可在基片上形成厚薄均勻的AZO膜層。

附圖說明：

圖1為本發(fā)明示意圖。

具體實(shí)施方式：

如圖1所示，一種在基片上形成AZO膜的裝置，包括真空反應(yīng)系統(tǒng)、放電系統(tǒng)、電源系統(tǒng)、加熱溫控系統(tǒng)、氣體導(dǎo)入系統(tǒng)、壓力測量系統(tǒng)、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、以及監(jiān)視系統(tǒng)。

所述真空反應(yīng)系統(tǒng)，包括一真空反應(yīng)腔1。本實(shí)施例中，所述真空反應(yīng)腔1是直徑為400mm、高度為320mm的真空筒體。

所述放電系統(tǒng)，設(shè)于真空反應(yīng)腔1內(nèi)，包括兩平行設(shè)置的電極板2，采用高頻放電產(chǎn)生等離子體，高能電子使下述反應(yīng)源物質(zhì)的分子鍵斷裂，產(chǎn)生大量的活性基團(tuán)。本實(shí)施例中，所述電極板2是20cm*20cm的方形銅板，兩電極板2間的距離可在5~10cm之間任意調(diào)整。

所述電源系統(tǒng)，與所述電極板2連接并為電極板2供電。本實(shí)施例中，所述電源系統(tǒng)為高頻電源3，其頻率在50KHZ~2.45GHZ之間，通常取40MHZ，最大輸出功率為1KW。

所述加熱溫控系統(tǒng)，包括設(shè)于真空反應(yīng)腔1內(nèi)的一電極板2上的反應(yīng)源加熱臺41以及襯底加熱臺42，反應(yīng)源加熱臺41用以對設(shè)于其上的反應(yīng)源物質(zhì)進(jìn)行加熱使反應(yīng)源物質(zhì)升華成氣態(tài)，本實(shí)施例中，反應(yīng)源物質(zhì)包括二水醋酸鋅和四水堿式乙酸鋁。所述襯底加熱臺42用以對設(shè)于其上的基片（圖中未示出）進(jìn)行加熱。

所述氣體導(dǎo)入系統(tǒng)，與真空反應(yīng)腔1連接并向真空反應(yīng)腔1內(nèi)導(dǎo)入載氣，該載氣用以將升華成氣態(tài)的反應(yīng)源物質(zhì)導(dǎo)至設(shè)于襯底加熱臺42上的基片表面；所述氣體導(dǎo)入系統(tǒng)的出氣口伸入真空反應(yīng)腔內(nèi)并與所述基片垂直，所述出氣口為錐形蓮蓬頭出氣口。具體地，所述氣體導(dǎo)入系統(tǒng)包括分別與真空反應(yīng)腔1連接的氬氣瓶51和氮?dú)馄?2，氬氣瓶51和氮?dú)馄?2與真空反應(yīng)腔1的連接氣路上分別連接有減壓閥53和流量計54。

所述壓力測量系統(tǒng)，用以測量真空反應(yīng)腔1內(nèi)的氣體壓力變化，包括用以測量真空壓力上限值的電離真空計管61和用以測量真空壓力下限值的皮拉尼規(guī)管62。