[發(fā)明專利]一種在基片上形成AZO膜的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210487396.8
• 申請日: 2012-11-26
• 公開（公告）號(hào): CN103014675A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊柳;劉昕;曹林站
• 申請（專利權(quán)）人: 中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/50
• 分類號(hào): C23C16/50;C23C16/40
• 代理公司: 中山市漢通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44255
• 代理人: 田子榮;石仁

1.一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于：包括

一真空反應(yīng)系統(tǒng)，包括一真空反應(yīng)腔；

一放電系統(tǒng)，設(shè)于真空反應(yīng)腔內(nèi)，包括兩平行設(shè)置的電極板，用以產(chǎn)生等離子體；

一電源系統(tǒng)，與所述電極板連接并為電極板供電；

一加熱溫控系統(tǒng)，包括設(shè)于真空反應(yīng)腔內(nèi)的一電極板上的反應(yīng)源加熱臺(tái)以及襯底加熱臺(tái)，反應(yīng)源加熱臺(tái)用以對(duì)設(shè)于其上的反應(yīng)源物質(zhì)進(jìn)行加熱使反應(yīng)源物質(zhì)升華成氣態(tài)，襯底加熱臺(tái)用以對(duì)設(shè)于其上的基片進(jìn)行加熱；

一氣體導(dǎo)入系統(tǒng)，與真空反應(yīng)腔連接并向真空反應(yīng)腔內(nèi)導(dǎo)入載氣，該載氣用以將升華成氣態(tài)的反應(yīng)源物質(zhì)導(dǎo)至設(shè)于襯底加熱臺(tái)上的基片表面；

一壓力測量系統(tǒng)，用以測量真空反應(yīng)腔內(nèi)的氣體壓力變化；以及

一抽氣系統(tǒng)，與真空反應(yīng)腔連接并抽吸反應(yīng)尾氣。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于：所述氣體導(dǎo)入系統(tǒng)的出氣口伸入真空反應(yīng)腔內(nèi)并與所述基片垂直。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于：所述出氣口為錐形蓮蓬頭出氣口。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于：所述抽氣系統(tǒng)包括與真空反應(yīng)腔依次氣路連接的過濾器電磁閥、真空泵以及尾氣吸收處理器。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于：所述氣體導(dǎo)入系統(tǒng)包括分別與真空反應(yīng)腔連接的氬氣瓶和氮?dú)馄浚瑲鍤馄亢偷獨(dú)馄颗c真空反應(yīng)腔的連接氣路上分別連接有減壓閥和流量計(jì)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于：所述壓力測量系統(tǒng)包括用以測量真空壓力上限值的電離真空計(jì)管和用以測量真空壓力下限值的皮拉尼規(guī)管。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于：還包括控制系統(tǒng)，該控制系統(tǒng)與所述加熱溫控系統(tǒng)、壓力測量系統(tǒng)、以及流量計(jì)電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于：所述真空反應(yīng)腔是直徑為400mm、高度為320mm的真空筒體。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于：所述電極板是20cm*20cm的方形銅板，兩電極板間的距離為5~10cm。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于：所述電源系統(tǒng)為高頻電源，其頻率在50KHZ~2.45GHZ之間，通常取40MHZ，最大輸出功率為1KW。