[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210480610.7
• 申請日: 2012-11-16
• 公開（公告）號: CN103165557B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金本光一
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 楊宏軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置技術(shù)，尤其涉及適用于管芯焊盤(die pad)露出型的半導(dǎo)體裝置的有效的技術(shù)。

背景技術(shù)

在例如日本特開2001-358287號公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)中公開了如下結(jié)構(gòu)：在芯片層疊型的半導(dǎo)體裝置中，第一半導(dǎo)體芯片的背面以樹脂模制狀態(tài)在與密封樹脂表面同一平面上露出。

此外，在例如日本特開2003-318360號公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)中公開了如下結(jié)構(gòu)：在無引腳型的半導(dǎo)體裝置中，具有：由絕緣性樹脂構(gòu)成的密封體、搭載有半導(dǎo)體芯片的引板(tub)、在所述密封體的安裝面上露出一面的多個(gè)引腳、被支承在所述引板的一面上的第一半導(dǎo)體芯片、以及層疊搭載于所述第一半導(dǎo)體芯片上的第二半導(dǎo)體芯片，并且所述引板在所述安裝面上露出一面。

此外，在例如日本特開2002-26233號公報(bào)(專利文獻(xiàn)3)中公開了如下結(jié)構(gòu)：在具有相互層疊并相互電連接的第一半導(dǎo)體芯片及第二半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置中，具有粘著所述第一半導(dǎo)體芯片的第一管芯焊盤、以及粘著所述第二半導(dǎo)體芯片的第二管芯焊盤，并且所述第一管芯焊盤及所述第二管芯焊盤的一部分露出。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2001-358287號公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2003-318360號公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本特開2002-26233號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

將引線框架(lead frame)用作搭載有半導(dǎo)體芯片(以后，也簡單地稱為芯片)的基板的半導(dǎo)體裝置(例如，QFP(方形扁平式封裝))，與使用了由布線層和絕緣層構(gòu)成的布線基板的半導(dǎo)體裝置(例如，BGA(球柵陣列))相比，能夠降低半導(dǎo)體裝置的制造成本。

但是，在QFP型的半導(dǎo)體裝置中，作為外部端子的引腳配置在半導(dǎo)體裝置(密封體)的周緣部，因此在設(shè)置與BGA型的半導(dǎo)體裝置相同數(shù)量的外部端子的情況下，半導(dǎo)體裝置的外形尺寸變大(難以小型化、多引腳化)。

因此，本申請發(fā)明人研究了以下內(nèi)容：使搭載有半導(dǎo)體芯片的管芯焊盤(芯片搭載部)從密封半導(dǎo)體芯片的密封體的下表面(安裝面)露出，將該管芯焊盤也用作為一個(gè)外部端子。

另一方面，近年來，存在半導(dǎo)體裝置的高性能化、或搭載有半導(dǎo)體裝置的安裝基板的小型化的要求。因此，本申請發(fā)明人進(jìn)一步研究了將多個(gè)或多種半導(dǎo)體芯片搭載于一個(gè)半導(dǎo)體裝置內(nèi)的情況。

評價(jià)這種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的結(jié)果是，在半導(dǎo)體裝置中產(chǎn)生吸濕不良。本申請發(fā)明人在對其原因進(jìn)行了研究之后發(fā)現(xiàn)，由于使管芯焊盤的一部分從密封體露出，因此在密封體和管芯焊盤的界面上發(fā)生剝離，水分經(jīng)由由于該剝離而生成的間隙從外部侵入密封體的內(nèi)部。

此外得知，上述界面剝離也易在主面上形成有某種保護(hù)層(由在骨架中含有苯并環(huán)丁烯作為有機(jī)單體的高分子構(gòu)成的膜，例如苯并環(huán)丁烯膜(以后，也簡單地稱為BCB膜))的半導(dǎo)體芯片和密封體的界面上發(fā)生。

此外，若水分由于該吸濕不良而到達(dá)半導(dǎo)體芯片的主面，則形成在半導(dǎo)體芯片的主面上的電極焊盤被污染。因此，對于例如經(jīng)由導(dǎo)線(wire)電連接半導(dǎo)體芯片的電極焊盤和引腳的制品，成為該導(dǎo)線從電極焊盤上剝離(斷線)的原因(半導(dǎo)體裝置的可靠性降低)。

本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制半導(dǎo)體裝置的可靠性降低的技術(shù)。

本申請發(fā)明的其他課題及新特征從本說明書的記述及附圖可知。

簡單地說明用于解決本申請中公開的課題的方法中的代表性的方法的概要如下。

基于代表性的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置包括：管芯焊盤、多個(gè)引腳、搭載于管芯焊盤上的第一半導(dǎo)體芯片、搭載于第一半導(dǎo)體芯片上的第二半導(dǎo)體芯片、多個(gè)第一及第二導(dǎo)電性構(gòu)件、及以管芯焊盤的下表面露出的方式進(jìn)行密封的密封體，并且形成在第二半導(dǎo)體芯片的第二主面上的第二保護(hù)膜由在骨架中含有苯并環(huán)丁烯作為有機(jī)單體的高分子構(gòu)成。

簡單地說明由本申請中公開的發(fā)明中的代表性的裝置得到的效果如下。

能夠抑制半導(dǎo)體裝置的可靠性的降低。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的俯視圖。

圖2是表示圖1的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的仰視圖。

圖3是透過密封體表示圖1的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖4是表示沿圖3的A-A線切斷后的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的剖視圖。

圖5是表示沿圖3的B-B線切斷后的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的剖視圖。

圖6是表示搭載于圖1的半導(dǎo)體裝置上的第一層的半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的俯視圖。