[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210479913.7
• 申請日: 2012-11-22
• 公開（公告）號(hào): CN103633059A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂文雄;鄭明達(dá);吳逸文;蔡鈺芃;杜家瑋;劉重希
• 申請（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：

半導(dǎo)體襯底；

接觸焊盤，位于所述半導(dǎo)體襯底上方；

互連層，位于所述接觸焊盤上方；

鈍化層，形成在所述接觸焊盤和所述互連層之間；

凸塊，位于所述互連層上方；以及

保護(hù)層，具有頂面，并且位于所述互連層和所述鈍化層上方并覆蓋所述凸塊的下部；

其中，所述保護(hù)層包括彎曲表面區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括位于所述鈍化層和所述互連層之間的聚合物層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括位于所述保護(hù)層和所述互連層之間的聚合物層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括位于所述凸塊和所述互連層之間的金屬化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括位于所述半導(dǎo)體襯底和所述接觸焊盤之間的介電層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述凸塊直接位于所述接觸焊盤的上方。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述保護(hù)層的所述頂面包括最高點(diǎn)和最低點(diǎn)，并且水平線與形成在所述最低點(diǎn)和所述最高點(diǎn)之間的斜線之間的角度在約10度和約50度之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述保護(hù)層的所述頂面包括最低點(diǎn)和最高點(diǎn)，并且所述最低點(diǎn)和所述最高點(diǎn)之間的距離在約5μm和約40μm之間。

9.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：

半導(dǎo)體襯底；

接觸焊盤，位于所述半導(dǎo)體襯底上方；

互連層，位于所述接觸焊盤上方；

鈍化層，形成在所述接觸焊盤和所述互連層之間；

凸塊，位于所述互連層上方；以及

模塑料層，具有頂面，并且位于所述互連層和所述鈍化層上方并覆蓋所述凸塊的下部；

其中，所述模塑原料層的所述頂面包括彎曲表面區(qū)和平坦表面區(qū)，所述彎曲表面區(qū)位于所述凸塊和所述平坦表面區(qū)之間。

10.一種形成器件的方法，包括：

在襯底上方形成互連件；

形成電連接至所述互連件的凸塊；

用液體模塑料覆蓋所述凸塊，所述液體模塑料具有位于所述凸塊之上的頂面；

向下擠壓所述液體模塑料的所述頂面同時(shí)進(jìn)行固化，從而形成固化模塑料，所述固化模塑料具有包括第一平坦區(qū)和第二彎曲區(qū)的頂面，所述第二彎曲區(qū)與所述凸塊的形狀一致；以及

去除所述第二彎曲區(qū)的一部分以露出所述凸塊。