[發明專利]一種集成的微顯示OLED圖像收發裝置及其制作方法有效
| 申請號: | 201210478053.5 | 申請日: | 2012-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN103022076A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發明(設計)人: | 劉萍 | 申請(專利權)人: | 深圳典邦科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 集成 顯示 oled 圖像 收發 裝置 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及OLED顯示技術,尤其涉及一種集成的微顯示OLED圖像收發裝置及其制作方法。
背景技術
有機發光器件(OLED)具有發光亮度高、驅動電壓低、響應速度快、無視角限制、低功耗、超輕超薄、可具備任何形狀,顏色輸出為單色、白色或近紅外線、壽命長等優點,在平板顯示器、平面光源等領域具有巨大的應用前景。結合硅基CMOS驅動電路,可以整合信號擷取、信號處理、控制等功能。
參照圖1所示的例子,光電二極管嵌入在微顯示OLED陣列中的圖像收發裝置。其中,硅基光電二極管7對近紅外光敏感,光電二極管陣列進一步形成近紅外圖像傳感器。OLED由光反射陽極8、有機發光層5和透明陰極9組成,OLED陣列形成圖像顯示裝置。OLED發光光譜分布和光電二極管敏感的光譜不重合。圖像顯示裝置通過OLED發射可見光圖像,圖像傳感器通過光電二極管探測近紅外圖像。在光電二極管旁邊設計OLED發光源并交叉隔開,而發光與感光可以并行操作。若OLED發射近紅外光,而光電二極管對可見光敏感,情況類似。
圖1所示的OLED圖像收發裝置相比于傳統的微顯示OLED,最大的優勢在于:在同一個CMOS芯片上集成顯示和成像功能;外部電光器件減少,HMD尺寸減小;系統更加輕便、便宜;功能更強、性能更高、而功耗更低。可以應用于微型顯示器,如HMD頭戴顯示器、行動裝置或微投影裝置、HUD抬頭顯示器、電子觀景窗等;也可以用于具備穿透顯示與攝錄影的雙向微顯示器如互動式HMD、光學檢查等;也可以用于感測器如光學感測器,作為螢光、顏色,流量測定等。
但是,如圖1所示的圖像收發裝置中,發光光源20發出的可見光,一部分成為外輸出光10,另一部通過器件內部的反射、散射返回向硅基板方向,其中部分光12被光電二極管探測,硅基光電二極管對可見光也敏感,因此會影響到光電二極管的紅外性能。另外,外界環境可見光11也會影響紅外光電二極管的性能,從而導致紅外圖像性能劣化。
若OLED發射紅外光,則光電二極管只對可見光波段的光敏感,情況與上述類似。???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????
發明內容
本發明的主要目的就是針對現有技術的不足,提供一種集成的微顯示OLED圖像收發裝置及其制作方法,優化圖像傳感器圖像感測的性能。
為實現上述目的,本發明采用以下技術方案:
一種集成的微顯示OLED圖像收發裝置,包括基板、所述基板上的用于感光的光電二極管和所述基板上的用于發光的OLED,所述OLED發光光譜和所述光電二極管敏感的光譜不重合,還包括阻光層,所述OLED的金屬互連線陽極和所述阻光層形成在金屬間絕緣層上,所述阻光層確定所述OLED的發光區域的邊界,所述光電二極管設置于所述OLED的金屬互連線陽極旁邊,且位于所述阻光層的下方,所述阻光層僅可透過預先設定的由所述光電二極管感應的波段的光。
優選的實施方案如下:
所述阻光層和所述OLED的金屬互連線陽極有交疊,所述阻光層邊緣覆蓋在所述OLED的金屬互連線陽極上。
所述OLED用于發射可見光,所述光電二極管用于感應近紅外波段的紅外光,或者,所述OLED用于發射近紅外光,所述光電二極管用于感應可見光波段的光。
所述阻光層是光吸收層或濾光膜或光吸收層與濾光膜的結合,所述濾光膜是長波(紅外波段通過)/短波通(可見光波段通)干涉濾光膜或帶通型干涉濾光膜,所述干涉濾光膜采用真空鍍膜制備,所述光吸收層采用高分子材料膜。阻光層可以采用光刻的方式成形。
所述帶通型干涉濾光層是多層介質膜,所述多層介質膜具有由高折射率層和低折射率層交替構成的周期性結構。
一種集成的微顯示OLED圖像收發裝置的制作方法,包括在基板上形成光電二極管和OLED的步驟,還包括在所述光電二極管之上形成阻光層的步驟,所述阻光層僅可透過預先設定的由所述光電二極管感應的波段的光,所述OLED的金屬互連線陽極和所述阻光層形成在金屬間絕緣層上,所述阻光層確定所述OLED的發光區域的邊界。
優選的實施方案如下:
所述阻光層和所述OLED的金屬互連線陽極有交疊,所述阻光層邊緣覆蓋在所述OLED的金屬互連線陽極上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
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