[發(fā)明專(zhuān)利]一種集成的微顯示OLED圖像收發(fā)裝置及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210478053.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-11-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103022076A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉萍 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 深圳典邦科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/32 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 集成 顯示 oled 圖像 收發(fā) 裝置 及其 制作方法 | ||
1.一種集成的微顯示OLED圖像收發(fā)裝置,包括基板、所述基板上的用于感光的光電二極管和所述基板上的用于發(fā)光的OLED,所述OLED發(fā)光光譜和所述光電二極管敏感的光譜不重合,其特征在于,還包括阻光層,所述OLED的金屬互連線(xiàn)陽(yáng)極和所述阻光層形成在金屬間絕緣層上,所述阻光層確定所述OLED的發(fā)光區(qū)域的邊界,所述光電二極管設(shè)置于所述OLED的金屬互連線(xiàn)陽(yáng)極旁邊,且位于所述阻光層的下方,所述阻光層僅可透過(guò)預(yù)先設(shè)定的由所述光電二極管感應(yīng)的波段的光。
2.如權(quán)利要求1所述的集成的微顯示OLED圖像收發(fā)裝置,其特征在于,所述阻光層和所述OLED的金屬互連線(xiàn)陽(yáng)極有交疊,所述阻光層邊緣覆蓋在所述OLED的金屬互連線(xiàn)陽(yáng)極上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的集成的微顯示OLED圖像收發(fā)裝置,其特征在于,?所述OLED用于發(fā)射可見(jiàn)光,所述光電二極管用于感應(yīng)近紅外波段的紅外光,或者,所述OLED用于發(fā)射近紅外光,所述光電二極管用于感應(yīng)可見(jiàn)光波段的光。
4.如權(quán)利要求1或2所述的集成的微顯示OLED圖像收發(fā)裝置,其特征在于,?所述阻光層是光吸收層或?yàn)V光膜或光吸收層與濾光膜的結(jié)合,所述濾光膜是長(zhǎng)波/短波通干涉濾光膜或帶通型干涉濾光膜,所述干涉濾光膜采用真空鍍膜制備,所述光吸收層采用高分子材料膜,阻光層采用光刻的方式成形。
5.如權(quán)利要求4所述的集成的微顯示OLED圖像收發(fā)裝置,其特征在于,所述帶通型干涉濾光層是多層介質(zhì)膜,所述多層介質(zhì)膜具有由高折射率層和低折射率層交替構(gòu)成的周期性結(jié)構(gòu)。
6.一種集成的微顯示OLED圖像收發(fā)裝置的制作方法,包括在基板上形成光電二極管和OLED的步驟,其特征在于,還包括在所述光電二極管之上形成阻光層的步驟,所述阻光層僅可透過(guò)預(yù)先設(shè)定的由所述光電二極管感應(yīng)的波段的光,所述OLED的金屬互連線(xiàn)陽(yáng)極和所述阻光層形成在金屬間絕緣層上,所述阻光層確定所述OLED的發(fā)光區(qū)域的邊界。
7.如權(quán)利要求6所述的集成的微顯示OLED圖像收發(fā)裝置的制作方法,其特征在于,所述阻光層和所述OLED的金屬互連線(xiàn)陽(yáng)極有交疊,所述阻光層邊緣覆蓋在所述OLED的金屬互連線(xiàn)陽(yáng)極上。
8.如權(quán)利要求6或7所述的集成的微顯示OLED圖像收發(fā)裝置的制作方法,其特征在于,形成所述阻光層的步驟在所述OLED的金屬互連線(xiàn)陽(yáng)極刻蝕成形之后進(jìn)行。
9.如權(quán)利要求8所述的集成的微顯示OLED圖像收發(fā)裝置的制作方法,其特征在于,?形成所述光電二極管、所述OLED和所述阻光層的步驟包括:
在p-Si基板上形成所述n阱;
在所述n阱形成所述光電二極管;
在所述光電二極管和所述基板上形成層間絕緣層;
在所述層間絕緣層中形成所述插拴,在所述層間絕緣層上形成金屬互連線(xiàn),所述n阱通過(guò)接觸件和所述插拴連接到所述金屬互連線(xiàn);
在所述層間絕緣層和所述金屬互連線(xiàn)上面形成金屬間絕緣層;
在所述金屬間絕緣層上形成所述OLED的金屬互連線(xiàn)陽(yáng)極;
在所述金屬間絕緣層上形成所述阻光層。
10.如權(quán)利要求8或9所述的集成的微顯示OLED圖像收發(fā)裝置的制作方法,其特征在于,所述金屬間絕緣層經(jīng)化學(xué)機(jī)械拋光或采用平整材料處理。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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