[發明專利]一種激光加工中對準劃切4寸LED藍寶石晶片的控制方法無效
| 申請號: | 201210477486.9 | 申請日: | 2012-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN103042311A | 公開(公告)日: | 2013-04-17 |
| 發明(設計)人: | 張文斌;孟憲俊;孟凡輝;楊松濤 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第四十五研究所 |
| 主分類號: | B23K26/38 | 分類號: | B23K26/38;B23K26/42 |
| 代理公司: | 北京中建聯合知識產權代理事務所 11004 | 代理人: | 朱麗巖;劉湘舟 |
| 地址: | 北京市大興區北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 激光 加工 對準 led 藍寶石 晶片 控制 方法 | ||
技術領域
本發明涉及藍寶石晶片激光加工控制技術領域,尤其涉及一種激光加工中對準劃切4寸LED藍寶石晶片的控制方法。
背景技術
激光加工中,利用激光器劃切4寸LED藍寶石晶片操作時,需要提高對準劃切的效率,以更好地體現激光加工的優點。
目前,現有的控制方法是通過手動進行對準劃切,效率比較低下,難以體現激光加工在現代工業生產中的優勢,嚴重影響生產效率。
發明內容
本發明的目的在于克服現有激光加工設備手動操作自動化程度低、加工效率低下的不足而提供一種激光加工中對準劃切4寸LED藍寶石晶片的控制方法,用于控制激光加工設備對準劃切4寸LED藍寶石晶片,可快速進行對準和提取晶片數據,有效提高了工業生產效率。
為實現上述的目的,本發明所采用的技術方案如下:
一種激光加工中對準劃切4寸LED藍寶石晶片的控制方法,將待劃切的4寸LED藍寶石晶片放置于工作臺上后,通過以下步驟實現:?
獲取所述晶片的物理圓心坐標和半徑大小;
擬合出所述晶片的翹曲數據;
通過圖像處理技術識別所述晶片的劃切道并自動進行角度調整,使所述劃切道與所述工作臺運動的橫/縱向軸相平行;?
利用所述物理圓心和半徑以及預置的劃切間距,計算所述晶片橫向/縱向上每條劃切道的起點坐標和終點坐標;
根據所述劃切道的起點坐標、終點坐標以及所述晶片的翹曲數據,控制激光器對所述晶片進行劃切。
本發明中,所述的獲取所述晶片的物理圓心坐標和半徑大小的步驟為:
提取所述晶片放置到所述工作臺上的實際效果圖;
利用圖像處理技術將所述實際效果圖與預存的工作臺實際背景圖進行對比,提取所述晶片的輪廓邊緣;
根據所述晶片的輪廓邊緣計算所述晶片的圓心坐標和半徑大小;
將所述的晶片的圓心坐標和半徑大小經數學計算處理轉換為對應的物理圓心坐標和半徑大小。
本發明中,所述的擬合出所述晶片的翹曲數據的步驟是:
在所述晶片表面選擇預定數量特征點并獲取所述特征點的物理位置坐標;
利用厚度測量傳感器分別提取所述特征點位置處的晶片厚度;
利用所述特征點位置處的厚度以及所述特征點的物理位置坐標,擬合出所述晶片的翹曲數據。
本發明中,通過接觸式厚度測量傳感器來提取所述特征點的厚度。
本發明中,所述的特征點數量為六個。
本發明中,所述激光器對所述晶片進行劃切時按先劃縱向劃切道,再劃橫向劃切道方式的進行劃切。
本發明通過綜合應用圖像處理技術,提取待劃切晶片的物理圓心及半徑數據,自動識別晶片劃切道進行調整,結合設置好的劃切間距,計算劃切坐標數據,并結合擬合出的晶片的翹曲數據,完成晶片的對準劃切后,通過控制激光加工設備根據所述的劃切坐標數據,結合擬合出的晶片的翹曲數據進行自動劃切,極大地提高了設備的自動化程度和工業生產效率。
附圖說明
圖1是本發明實施例提供的激光加工中對準劃切4寸LED藍寶石晶片的控制方法的控制流程圖;
圖2是本發明實施例提供的獲取晶片的物理圓心坐標和半徑大小的流程圖;
圖3是本發明實施例提供的擬合出晶片的翹曲數據的流程圖;
圖4是本發明實施例提供的工作臺實際背景圖及藍寶石晶片放置到工作臺上的實際效果圖的前后比較示意圖;
圖5是本發明實施例提供的提取藍寶石晶片表面上特征點的高度的示意圖;
圖6是本發明實施例提供的調整藍寶石晶片的角度的示意圖;
圖7是本發明實施例提供的自動識別劃切道并自動標記劃切道中心所在物理位置的示意圖。
具體實施方式
為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白,以下結合附圖,對本發明進行進一步詳細說明。
參見圖1所示,該圖示出了本發明實施例提供的激光加工中對準劃切4寸LED藍寶石晶片的控制方法的流程。為了便于說明,僅示出了與本發明實施例有關的部分。
一種激光加工中對準劃切4寸LED藍寶石晶片的控制方法,在將待劃切的4寸LED藍寶石晶片放置于工作臺上后,主要通過以下步驟實現:?
S101:獲取所述晶片的物理圓心坐標和半徑大小;獲取所述的晶片的物理圓心坐標和半徑大小,旨在為后續的計算劃切坐標數據提供數據支持;
參見圖2所示,本發明實施例中,步驟S101中所述的獲取所述晶片的物理圓心坐標和半徑大小的步驟為:
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