[發明專利]一種半導體器件的制造方法在審
| 申請號： | 201210477196.4 | 申請日： | 2012-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN103839873A | 公開（公告）日： | 2014-06-04 |
| 發明（設計）人： | 周鳴 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件的制造方法，包括：
a)提供半導體襯底，在所述半導體襯底上依次形成阻擋層和層間介電層；
b)使所述層間介電層轉變為多孔低κ介電層；
c)在所述層間介電層上形成不含造孔劑前體的致密低κ介電層；
d)在所述致密低κ介電層上形成另一層間介電層，并使所述另一層間介電層轉變為多孔低κ介電層。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述層間介電層的構成材料為具有低介電常數的材料。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述層間介電層的構成材料中含有造孔劑前體。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用紫外輻照工藝實施所述轉變。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為摻雜氮的碳化硅。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述致密低κ介電層的κ值與所述多孔低κ介電層的κ值相近。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述致密低κ介電層的厚度為50-500埃。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在實施步驟d)之前，還包括實施紫外輻照的步驟，以提高所述致密低κ介電層和所述多孔低κ介電層之間的附著性。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在實施步驟d)之后，還包括下列步驟：在所述另一層間介電層上形成硬掩膜層。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜層包括自下而上依次層疊的另一致密低κ介電層、鈍化層、金屬硬掩膜層和氧化物層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
