[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210476677.3
• 申請(qǐng)日: 2012-11-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103839871B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周鳴
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768;H01L21/3105
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟S101：提供襯底，在所述襯底上形成低k介電材料層；

步驟S102：對(duì)所述低k介電材料層進(jìn)行紫外光固化處理；

步驟S103：對(duì)所述低k介電材料層進(jìn)行氦等離子體處理，所述氦等離子體對(duì)所述低k介電材料層的表面進(jìn)行改性，以降低所述低k介電材料層對(duì)水分的吸收能力，并利用四甲基硅烷對(duì)所述低k介電材料層進(jìn)行處理，以在所述低k介電材料層上形成四甲基硅烷薄膜，抑制所述低k介電材料層對(duì)水分的吸收；

步驟S104：在所述襯底上形成第一硬掩膜；

步驟S105：對(duì)所述第一硬掩膜進(jìn)行氦等離子體處理，并利用四甲基硅烷對(duì)所述第一硬掩膜進(jìn)行處理。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S103中，對(duì)所述低k介電材料層進(jìn)行氦等離子體處理的工藝條件為：氣體壓力為4～7torr，氣體流速為100～1000sccm，功率為150-500W。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S103中，利用四甲基硅烷對(duì)所述低k介電材料層進(jìn)行處理時(shí)，所采用的載體氣體為氦氣，載體氣體的流速為100～1000sccm。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步驟S103中，利用四甲基硅烷對(duì)所述低k介電材料層進(jìn)行處理的工藝條件為：氣體壓力為4～7torr，氣體流速為100～1000sccm，采用的功率為150-500W。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S104中所形成的第一硬掩膜為低k介電材料。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S105中，對(duì)所述第一硬掩膜進(jìn)行氦等離子體處理的工藝條件為：氣體壓力為4～7torr，氣體流速為100～1000sccm，功率為150-500W。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S105中，利用四甲基硅烷對(duì)所述第一硬掩膜進(jìn)行處理時(shí)，所采用的載體氣體為氦氣，載體氣體的流速為100～1000sccm。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S105中，利用四甲基硅烷對(duì)所述第一硬掩膜進(jìn)行處理的工藝條件為：氣體壓力為4～7torr，氣體流速為100～1000sccm，采用的功率為150-500W。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步驟S105之后還包括步驟S106：在所述襯底上形成第二硬掩膜。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二硬掩膜的材料為正硅酸乙脂。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在所述步驟S106之后還包括步驟S107：在所述第二硬掩膜上形成金屬硬掩膜。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜的材料為氮化鈦。