[發(fā)明專利]基板、發(fā)光裝置、以及基板的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210474091.3 | 申請(qǐng)日: | 2012-11-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103107272A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 木村康之;荒井直;小林剛;岡部敏幸 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 新光電氣工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/62 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/62;H01L25/075;H01L33/48;H01L33/64 |
| 代理公司: | 上海和躍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31239 | 代理人: | 胡艷 |
| 地址: | 日本長(zhǎng)野縣*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基板 發(fā)光 裝置 以及 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及基板、發(fā)光裝置、以及基板的制造方法。
背景技術(shù)
以往,提出了各種發(fā)光裝置。發(fā)光裝置包括安裝在基板上的發(fā)光元件。日本特開(kāi)2003-092011號(hào)公報(bào)記載了以往(Related?Art)的發(fā)光裝置的例子。在該發(fā)光裝置中,在形成于金屬制基板的絕緣層上形成有配線層,在該配線層上安裝有發(fā)光二極管(Light?Emitting?Diode:LED)等發(fā)光元件。
近年,發(fā)光裝置的用途被廣泛用于照明裝置或者顯示裝置等。在這些用途中,希望能夠?qū)Χ鄠€(gè)發(fā)光元件進(jìn)行高密度安裝。所以,要求能夠使配線層微型化(細(xì)間距化fine?pitch)。然而,由于安裝發(fā)光元件的配線層通過(guò)減去法(Subtractive)等來(lái)形成,所以很難使該配線層細(xì)間距化。進(jìn)一步,在上述發(fā)光裝置中,伴隨對(duì)發(fā)光二極管的通電會(huì)使該發(fā)光二極管發(fā)熱,因發(fā)光二極管發(fā)熱而引起的溫度上升會(huì)使發(fā)光二極管的發(fā)光效率下降。因此,會(huì)有為了使從發(fā)光二極管產(chǎn)生的熱量高效地從上述配線層放出而較厚地形成配線層的趨勢(shì)。在這樣的情況下,越發(fā)使配線層的細(xì)間距化變得困難。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)提供一種基板,該基板包括第1引線框架、層疊在所述第1引線框架上的第2引線框架、以及樹(shù)脂層。所述第1引線框架包括散熱板和用于外部連接的多個(gè)電極。所述第2引線框架包括用于搭載發(fā)光元件的多個(gè)配線。所述樹(shù)脂層被充填在所述第1引線框架和所述第2引線框架之間。所述多個(gè)配線被配置在所述散熱板的上方。所述多個(gè)電極與所述多個(gè)配線的一部分接合在一起。
基于本發(fā)明的一個(gè)形態(tài),不僅能夠抑制發(fā)光元件的發(fā)光效率下降,而且能夠使配線細(xì)間距化。
附圖說(shuō)明
圖1A是表示一個(gè)實(shí)施方式的基板的概略剖視圖。
圖1B是表示設(shè)置在圖1A的基板上的第1引線框架的概略俯視圖。
圖1C是表示設(shè)置在圖1A的基板上的第2引線框架的概略俯視圖。
圖2A是概略剖視圖,其表示具備圖1A的基板的發(fā)光裝置。
圖2B是表示圖2A的發(fā)光裝置的概略俯視圖。
圖2C是概略剖視圖,其表示圖2A的發(fā)光裝置的穩(wěn)壓二極管周邊的構(gòu)造。
圖3A是表示圖1A的基板的制造方法的概略俯視圖。
圖3B表示圖3A的一部分,為單位引線框架的放大俯視圖。
圖3C是沿圖3B的C-C線的單位引線框架的概略剖視圖。
圖4A是概略俯視圖,其表示圖1A的基板的制造方法。
圖4B表示圖4A的一部分,為單位引線框架的放大俯視圖。
圖4C是沿圖4B的D-D線的單位引線框架的概略剖視圖。
圖5A是沿圖4B的D-D線的基板的剖視圖,其表示圖1A的基板的制造方法。
圖5B是沿圖3B的C-C線的基板的剖視圖,其表示圖1A的基板的制造方法。
圖5C是表示圖1A的基板的制造方法的說(shuō)明圖。
圖6A~圖6D是沿圖3B的C-C線以及沿圖4B的D-D線的基板的剖視圖,其表示圖1A的基板的制造方法。
圖7A以及圖7B是表示圖1A的基板的制造方法的放大俯視圖。
圖8A以及圖8B是沿圖1B的A-A線以及沿圖1C的A-A線的基板的剖視圖,其表示圖1A的基板的制造方法。
圖8C是沿圖2B的B-B線的發(fā)光裝置的剖視圖,其表示圖2A的發(fā)光裝置的制造方法。
圖9A~圖9C是表示變形例的基板的制造方法的概略剖視圖。
圖10A以及圖10B是表示變形例的基板的制造方法的概略剖視圖。
圖11A~圖11D是表示變形例的基板的制造方法的概略剖視圖。
圖12是表示變形例的發(fā)光裝置的概略剖視圖。
圖13A是表示變形例的基板的概略俯視圖。
圖13B是表示變形例的發(fā)光裝置的概略俯視圖。
圖14是表示發(fā)光裝置的安裝例的概略剖視圖。
具體實(shí)施方式
以下,參照附圖,對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。另外,在附圖中,為了方便起見(jiàn)有時(shí)會(huì)將特征的部分放大顯示。所以,各個(gè)構(gòu)成要素的尺寸比率等可能與實(shí)際不同。另外,為了便于理解各個(gè)部件的截面構(gòu)造,在剖視圖中,省略了一部分絕緣層的剖線(hatching)。
以下,參照?qǐng)D1~圖8,對(duì)一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
(基板的構(gòu)造)
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- 同類(lèi)專利
- 專利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺(tái)
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