[發明專利]一種可以改換成多個規格要求等級的記憶體和及其操作方法技術領域在審
| 申請號: | 201210473837.9 | 申請日: | 2012-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN102969021A | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 無錫來燕微電子有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/06 | 分類號: | G11C16/06;G11C16/24 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 214028 江蘇省無錫市無錫新區長江路21-1*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 可以 換成 規格 要求 等級 記憶體 及其 操作方法 技術 領域 | ||
技術領域
本發明涉及一種記憶體及其制備方法,利用備份原理,在同一芯片中復制記憶體細胞,從而大大提升芯片的可靠性,降低文件損壞風險。此發明屬于集成電路的技術領域。?
背景技術
在電子工業界,針對軍用、商用和民用的產品規格的不同要求顯著不同。軍用儀器一般在極端環境下長時間作業,對產品的可靠性要求極高。而民用產品如手機、電腦等更新換代極快,因此對其電子元件的特性,如可擦寫次數,錯誤率,使用壽命等,要求相對較低。?
針對不同的規格要求,記憶體生產商往往需要設計、籌劃相對應的生產程序和生產線,從而導致成本飆升。本發明的目的在于設計一款能同時應用在軍用、商用和民用的記憶體,提升現有設計重復使用率,降低產品成本。?
在芯片業界,通常的規格是:?
1.?民用電子產品:規格要求比較低,在0~55攝氏度的工作環境下需達到5~10年的產品壽命。對容量要求高,?用于儲存大型系統軟件,?多媒體文件等等;
2.?工業用電子產品:規格要求就高很多,在?-40~125攝氏度的工作環境下需達到10~20年的產品壽命;
3.?軍工產品和汽車工業電子產品:規格要求近乎嚴苛,在?-55~175攝氏度的工作環境下需達到20年以上的產品壽命。
每種規格都有自己相應的制備過程。?
本發明的目的是克服現有技術中存在的不足,降低芯片成本,并且安全可靠。一塊芯片的成本包含:1)芯片產品的設計費用,2)光罩的費用(一次性的),3)硅片的費用,4),營運成本。同一種產品,如2GB的記憶體芯片,在面對不同的軍用和民用客戶時,由于制備步驟不同,芯片都會被要求重新設計。因此,盡管記憶容量一樣,但記憶體生產商仍需要使用不同的設計圖紙和生產線,重復以上的所有四個步驟。其結果就是,產品從重新設計到交貨的時間延長,同時造成效率低下,資源浪費。應用了本發明之后,以同樣規格制造的2GB芯片可同時出售給民用或軍用客戶。?
本發明的另一大作用是為新研發芯片提供可靠的測試平臺。芯片制備工藝日新月異,在產品試樣品中使用本發明可以確保芯片在不成熟的工藝中運行,設計團隊可以做冗余線路的調試,而不必等工藝團隊調試完成才開始做。雙管齊下,這樣也縮短了產品從開始設計到成品銷售所需的時間。?
發明內容
本發明的目的是克服現有技術中存在的不足,提供一種降低芯片成本和減少產品到市場的時間的非揮發性記憶體及其制備方法,其結構緊湊,降低芯片成本,安全可靠。?
按照本發明提供的技術方案,所述一種可以改換成多個規格要求等級的記憶體,包括若干存儲比特單元及存儲比特相對應的控制單元,存儲比特的位線WL控制單元和一種可以改換一層金屬層就可以改換成相對應規格要求等級的記憶體的選擇器單元。所述存儲比特單元包括控制極端、源極端及漏極端;若干存儲比特單元規則排布形成行存儲群組及列存儲群組,行存儲群組內每行存儲比特單元的控制極端相互連接后與對應的WL位線端相連接,行存儲群組與列存儲群組內快閃存儲比特單元的源極端相互連接后均與SL位線端相連接,列存儲群組內每列存儲比特單元的漏極端相互連接后與對應的BL位線端相連接,列存儲群組內對應的BL位線端通過多路選擇器與檢測放大器相連,放大并轉換成數字信號輸出。?
所述存儲比特的位線WL控制單元,可以選擇性同時控制一條,二條或多條的WL位線來進行控制讀取存儲比特單元的信號。所述存儲比特的位線WL控制單元,直接和存儲比特單元的WL位線相連結。所述一種可以改換多個規格要求等級的記憶體的選擇器單元直接連結和控制存儲比特的位線WL控制單元,來實現控制不同規格等級記憶體。所述一種可以改換多個規格要求等級的記憶體的選擇器可以是通過一層金屬層選項(metal?option)來達到選擇功能,也就是說換一層金屬層就可以生成一種相對應的規格等級的記憶體。?
一種可以改換成多個規格要求等級的記憶體的操作方法,包括存儲比特的位線WL控制單元和一種可以改換一層金屬層就可以改換成相對應規格要求等級的記憶體的選擇器單元;行存儲群組及列存儲群組,行存儲群組及列存儲群組內均包括若干存儲比特單元;行存儲群組內每行存儲比特單元的控制極端相互連接后與對應的WL位線端相連接,行存儲群組與列存儲群組內快閃存儲比特單元的源極端相互連接后均與SL位線端相連接,列存儲群組內每列存儲比特單元的漏極端相互連接后與對應的BL位線端相連接,且列存儲群組內對應的BL位線端通過多路選擇器與檢測放大器相連,對行存儲群組與列存儲群組內存儲比特單元的操作方法包括數據寫入操作、數據讀取操作及數據擦除操作;?
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