[發明專利]一種可以改換成多個規格要求等級的記憶體和及其操作方法技術領域

在審

• 申請號: 201210473837.9
• 申請日: 2012-11-21
• 公開（公告）號: CN102969021A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 無錫來燕微電子有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種可以改換成多個規格要求等級的記憶體架構包括若干存儲比特單元及存儲比特相對應的控制單元，存儲比特的位線WL控制單元和一種可以改換一層金屬層就可以改換成相對應規格要求等級的記憶體的選擇器單元，所述存儲比特單元包括控制極端、源極端及漏極端；若干存儲比特單元規則排布形成行存儲群組及列存儲群組，行存儲群組內每行存儲比特單元的控制極端相互連接后與對應的WL位線端相連接，行存儲群組與列存儲群組內快閃存儲比特單元的源極端相互連接后均與SL位線端相連接，列存儲群組內每列存儲比特單元的漏極端相互連接后與對應的BL位線端相連接，列存儲群組內對應的BL位線端通過多路選擇器與檢測放大器相連，放大并轉換成數字信號輸出。

2.根據權利要求1所述的可以改換成多個規格要求等級的記憶體架構中的存儲比特的位線WL控制單元，其特征是：所述特殊多路轉換器（MUX）IP，以實現字線熔合。

3.根據權利要求1所述的可以改換成多個規格要求等級的記憶體架構中一種可以改換一層金屬層就可以改換成相對應規格要求等級的記憶體的選擇器單元，其特征是：金屬層選項（metal?option）。

4.一種可以改換成多個規格要求等級的記憶體架構包括若干存儲比特單元及存儲比特相對應的控制單元，存儲比特的位線WL控制單元和一種可以改換一層金屬層就可以改換成相對應規格要求等級的記憶體的選擇器單元；可以改換一層金屬層就可以改換成相對應規格要求等級的記憶體的選擇器單元單元輸出選擇器的信號選定相對應規格等級記憶體；存儲比特的位線WL控制單元接到同規格等級記憶體的選擇器單元輸出選擇器的信號來控制不同規格等級時所需的位線WL；可以一次控制相對應的一條WL位線，或同時控制對應的二條WL位線，或同時控制相對應的多條WL位線來達到不同規格，或相對應等級記憶體的選擇。

5.根據權利要求5所述的有多個規格等級可以選擇的記憶體架構中的存儲比特，其特征是：快閃存儲比特單元。

6.一種可以改換成多個規格要求等級的記憶體的操作方法，包括存儲比特的位線WL控制單元和一種可以改換一層金屬層就可以改換成相對應規格要求等級的記憶體的選擇器單元；行存儲群組及列存儲群組，行存儲群組及列存儲群組內均包括若干存儲比特單元；行存儲群組內每行存儲比特單元的控制極端相互連接后與對應的WL位線端相連接，行存儲群組與列存儲群組內快閃存儲比特單元的源極端相互連接后均與SL位線端相連接，列存儲群組內每列存儲比特單元的漏極端相互連接后與對應的BL位線端相連接，且列存儲群組內對應的BL位線端通過多路選擇器與檢測放大器相連，對行存儲群組與列存儲群組內存儲比特單元的操作方法包括數據寫入操作、數據讀取操作及數據擦除操作；

????可以改換一層金屬層就可以改換成相對應規格要求等級的記憶體的選擇器單元輸出控制不同規格等級記憶體的控制信號給存儲比特的位線WL控制單元；所述控制信號是控制不同規格,或相對應等級的記憶體；所述控制信號是指一次控制一條位線WL，一次控制二條位線WL或一次控制多條位線WL；

將第二操作偏壓始終加載于SL位線端上；選取行存儲群組與列存儲群組交叉確定的快閃存儲比特單元，并將第一操作偏壓加載于對應的一條WL位線端上，或將第一操作偏壓同時加載于對應的二條WL位線端上，或將第一操作偏壓同時加載于對應的多條WL位線端上，第三操作偏壓加載于其余的WL位線端上；通過多路選擇器選擇對應的BL位線端，并將第四操作偏壓加載于選擇對應的BL位線端上，第五操作偏壓加載于其余的BL位線端上；

????當第一操作偏壓、第二操作偏壓與第四操作偏壓對應配合，使得選中的BL位線端與WL位線端交叉確定的存儲比特單元達所需的電壓，且第二操作偏壓、第三操作偏壓與第五操作偏壓對應配合，使得行存儲群組與列存儲群組內其余存儲比特單元的電壓與所需的電壓不匹配時，以能向所述交叉確定的存儲比特單元內寫入所需的數據，實現對存儲器架構的數據寫入操作；

????當第一操作偏壓、第二操作偏壓與第四操作偏壓對應配合，以能測定流過所述交叉確定的快閃存儲比特單元的電流值，同時，第二操作偏壓、第三操作偏壓與第五操作偏壓對應配合，關斷行存儲群組與列存儲群組內其余存儲比特單元的電流輸出，以能讀取所述交叉確定的快閃存儲比特單元的存儲狀態，實現對快閃存儲器架構的數據讀取操作；

????當第一操作偏壓、第二操作偏壓與第四操作偏壓對應配合，以使得與第一操作偏壓相連的存儲比特單元的源極端與控制端的電壓差與所需的擦除電壓匹配，且第三操作偏壓與第四操作偏壓對應配合，使得與第三操作偏壓相連的存儲比特單元的源極端與控制端的電壓差與所需的擦除電壓不匹配時，以能存儲與第一操作偏壓相連對應的行存儲群組，實現對存儲器架構的數據擦除操作。