[發(fā)明專利]一種溝槽DMOS管的制造方法及一種溝槽DMOS管

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210473682.9
• 申請日: 2012-11-20
• 公開（公告）號: CN103839807A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔金洪;張楓;李天賀
• 申請（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/283;H01L29/78
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及一種溝槽DMOS管的制造方法及一種溝槽DMOS管。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有技術(shù)中，金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，MOS管作為最基本的電子元器件，普遍用于各種電子產(chǎn)品中。

MOS晶體管在應(yīng)用中會有開啟時間（ton）和關(guān)斷時間（toff）兩個參數(shù)，當(dāng)開啟時間和關(guān)斷時間都比較長時，那么，開關(guān)的頻率就很低，這樣，消耗的電量就很大，從而驅(qū)動能力就很不強(qiáng)。

但是，本發(fā)明人在實現(xiàn)本發(fā)明實施例中技術(shù)方案的過程中，發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少具有如下問題：

由于在現(xiàn)有技術(shù)中，對MOS管的溝槽底部進(jìn)行一次柵極氧化之后，形成的柵極氧化層比較薄，使得MOS管的電容值較大，因而柵極消耗的電量也會較大，當(dāng)柵極消耗的電量較大時，MOS管的開關(guān)頻率就會很低，驅(qū)動能力不強(qiáng)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種溝槽MOS管以及MOS管的制造方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中MOS管開關(guān)頻率不高的技術(shù)問題。

本申請通過本申請的一實施例提供如下技術(shù)方案：

一種溝槽MOS管的制造方法，包括：

對一用于制造所述溝槽DMOS管的外延片進(jìn)行處理，形成一與柵極對應(yīng)的溝槽，并在所述溝槽底部形成第一柵極氧化層；

在所述處延片的表面進(jìn)行淀積處理，形成一抗氧化層；

在所述抗氧化層的表面，去除所述溝槽外的所述抗氧化層和所述溝槽底部的所述抗氧化層，以保留所述溝槽內(nèi)側(cè)壁的所述抗氧化層；

在所述溝槽內(nèi)進(jìn)行第二次氧化，在所述溝槽底部的第一柵極氧化表面形成第二柵極氧化層。

進(jìn)一步的，所述對一用于制造所述溝槽DMOS管的外延片進(jìn)行處理，形成一與柵極對應(yīng)的溝槽，并在所述溝槽底部形成一柵極氧化層，具體包括：

對所述外延片進(jìn)行墊氧氧化和硬掩膜淀積；

通過對形成硬掩膜淀積的所述外延片進(jìn)行光刻，硬掩膜刻蝕，溝槽刻蝕，形成溝槽；

去除所述溝槽外的所述硬掩膜淀積層；

在所述外延片表面進(jìn)行氧化，形成第一柵極氧化層。

進(jìn)一步的，所述在所述外延片的表面進(jìn)行淀積處理，形成一抗氧化層，具體為：

在所述外延片的表面進(jìn)行淀積氮化硅的處理，所述氮化硅具有抗氧化性。

進(jìn)一步的，在所述溝槽底部的第一柵極氧化表面形成第二柵極氧化層之后，所述方法還包括：

去除所述溝槽內(nèi)側(cè)壁的所述抗氧化性層。

進(jìn)一步的，在所述去除所述溝槽內(nèi)側(cè)壁的所述抗氧化性層之后，所述方法還包括：

在經(jīng)過處理的所述外延層表面進(jìn)行多晶淀積，多晶回刻，形成柵極；

對所述外延片第一區(qū)域進(jìn)行光刻，并注入第一離子，然后將所述第一離子進(jìn)行推結(jié)深，形成阱區(qū)；

對所述外延片第二區(qū)域進(jìn)行光刻，并注入第二離子，然后將所述第二離子進(jìn)行推結(jié)深，形成源區(qū)。

進(jìn)一步的，在所述形成源區(qū)之后，所述方法還包括：

在經(jīng)過處理后的所述外延層上進(jìn)行中間介質(zhì)層淀積，回流，引線孔光刻和刻蝕；

通過對金屬淀積，光刻與刻蝕，鈍化層光刻和刻蝕，形成鈍化層；

對處理后的所述外延層表面進(jìn)行合金，背面減薄，蒸發(fā)金屬工藝。

另一方面，本申請通過本申請的另一實施例，提供如下技術(shù)方案：

一種溝槽DMOS管，包括：外延片，其中，外延片包括襯底和溝槽，在該溝槽底部的第一柵極氧化層表面形成第二柵極氧化層。

本申請實施例中提供的一個或多個技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點：

由于在本申請實施例中，采用在溝槽DMOS管的溝槽底部形成第一柵極氧化層之后，在該第一柵極氧化層表面重新增加第二柵極氧化層的技術(shù)方案，解決了現(xiàn)有技術(shù)中在DMOS管的溝槽底部只有一層?xùn)艠O氧化層時，使得DMOS管的開關(guān)頻率不高的技術(shù)問題，實現(xiàn)了能夠快速開關(guān)溝槽DMOS管的技術(shù)效果，使得溝槽DMOS管的驅(qū)動能力增強(qiáng)。

附圖說明

圖1為一種溝槽DMOS管的制造方法的流程圖；

圖2為一種溝槽DMOS管的原材料結(jié)構(gòu)圖；

圖3為一種溝槽DMOS管的原材料經(jīng)過墊氧氧化和硬掩膜淀積的結(jié)構(gòu)圖；

圖4為一種溝槽DMOS管的對墊氧氧化層和硬掩膜層進(jìn)行光刻和刻蝕后的結(jié)構(gòu)圖；

圖5為一種溝槽DMOS管的溝槽的結(jié)構(gòu)圖；