[發明專利]一種溝槽DMOS管的制造方法及一種溝槽DMOS管

在審

• 申請號: 201210473682.9
• 申請日: 2012-11-20
• 公開（公告）號: CN103839807A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 崔金洪;張楓;李天賀
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/283;H01L29/78
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種溝槽DMOS管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

對一用于制造所述溝槽DMOS管的外延片進行處理，形成一與柵極對應的溝槽，并在所述溝槽底部形成第一柵極氧化層；

在所述處延片的表面進行淀積處理，形成一抗氧化層；

在所述抗氧化層的表面，去除所述溝槽外的所述抗氧化層和所述溝槽底部的所述抗氧化層，以保留所述溝槽內側壁的所述抗氧化層；

在所述溝槽內進行第二次氧化，在所述溝槽底部的第一柵極氧化表面形成第二柵極氧化層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對一用于制造所述溝槽DMOS管的外延片進行處理，形成一與柵極對應的溝槽，并在所述溝槽底部形成第一柵極氧化層，具體包括：

對所述外延片進行墊氧氧化和硬掩膜淀積；

通過對形成硬掩膜淀積的所述外延片進行光刻，硬掩膜刻蝕，溝槽刻蝕，形成溝槽；

去除所述溝槽外的所述硬掩膜淀積層；

在所述外延片表面進行氧化，形成第一柵極氧化層。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述外延片的表面進行淀積處理，形成一抗氧化層，具體為：

在所述外延片的表面進行淀積氮化硅的處理，所述氮化硅具有抗氧化性。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述溝槽底部的第一柵極氧化表面形成第二柵極氧化層之后，所述方法還包括：

去除所述溝槽內側壁的所述抗氧化性層。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，在所述去除所述溝槽內側壁的所述抗氧化性層之后，所述方法還包括：

在經過處理的所述外延層表面進行多晶淀積，多晶回刻，形成柵極；

對所述外延片第一區域進行光刻，并注入第一離子，然后將所述第一離子進行推結深，形成阱區；

對所述外延片第二區域進行光刻，并注入第二離子，然后將所述第二離子進行推結深，形成源區。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述形成源區之后，所述方法還包括：

在經過處理后的所述外延層上進行中間介質層淀積，回流，引線孔光刻和刻蝕；

通過對金屬淀積，光刻與刻蝕，鈍化層光刻和刻蝕，形成鈍化層；

對處理后的所述外延層表面進行合金，背面減薄，蒸發金屬工藝。

7.一種溝槽DMOS管，其特征在于，包括：

外延片，其中，所述外延片包括襯底和溝槽；

在所述溝槽底部的第一柵極氧化層表面形成第二柵極氧化層。