[發明專利]發光二極管芯片在審
| 申請號: | 201210471215.2 | 申請日: | 2012-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN103840054A | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發明(設計)人: | 沈佳輝;洪梓健 | 申請(專利權)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;榮創能源科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/38 | 分類號: | H01L33/38 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 芯片 | ||
技術領域
本發明涉及一種發光二極管芯片。
背景技術
LED(發光二極管,Light-emitting?diode)產業是近幾年最受矚目的產業之一,發展至今,LED產品已具有節能、省電、高效率、反應時間快、壽命周期時間長、且不含汞、具有環保效益等優點,因此被認為是新世代綠色節能照明的最佳光源。
在現有技術中,發光二極管芯片上一般設置有一P型金屬電極墊以及一N型金屬電極墊,然后通過打金線以將發光二極管芯片的金屬電極墊與基板的焊墊電連接。但是,為了使焊線能種植于發光二極管芯片上,金屬電極墊必須具有一定的面積,例如,金屬電極墊面積通常是50um×50um,這樣一來,金屬電極墊必定會遮擋住部分光線,從而減少了發光二極管芯片的發光區域,造成出光量低下。
發明內容
有鑒于此,有必要提供一種能增加發光區域,提升出光量的發光二極管芯片。
一種發光二極管芯片,其包括基板、形成在該基板上的半導體結構以及形成于半導體結構上并相互間隔的二電極。所述半導體結構具有二外露的半導體層。其中一個電極形成于一半導體層的上表面,另一電極形成于另一半導體層的上表面。兩個電極中的至少其中一個自其所設的半導體層的上表面彎折延伸至半導體結構的側面以與外部電極電連接。
上述的發光二極管芯片的兩電極中的至少其中一個自半導體層的上表面彎折延伸至半導體結構的側面,從而通過導電膠或焊接等方式就能實現與半導體結構的側面的電極與外部電極的電連接,而無需金線連接,因此,相對于傳統的金屬電極墊,本發明的電極不需要具備金線焊接的面積,所以可以做的面積很小,從而減少了電極的擋光面積,增加了發光二極管芯片的發光區域,提升了出光量。
附圖說明
圖1為本發明第一實施方式中的發光二極管芯片的俯視圖。
圖2為圖1中的發光二極管芯片沿II-II方向的截面圖。
圖3為圖1中的發光二極管芯片與外部電極連接的示意圖。
圖4為本發明第二實施方式中的發光二極管芯片的俯視圖。
圖5為圖4中的發光二極管芯片沿V-V方向的截面圖。
圖6為圖4中的發光二極管芯片與外部電極連接的示意圖。
圖7為本發明第三實施方式中的發光二極管芯片與外部電極連接的示意圖。
主要元件符號說明
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