[發明專利]發光二極管芯片

在審

• 申請號: 201210471215.2
• 申請日: 2012-11-20
• 公開（公告）號: CN103840054A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 沈佳輝;洪梓健
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管芯片，其包括基板、形成在該基板上的半導體結構以及形成于半導體結構上并相互間隔的二電極，所述半導體結構具有二外露的半導體層，其中一個電極形成于一半導體層的上表面，另一電極形成于另一半導體層的上表面，其特征在于：兩個電極中的至少其中一個自其所設的半導體層的上表面彎折延伸至半導體結構的側面以與外部電極電連接。

2.如權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述半導體結構包括依次成長在基板上的緩沖層、N型半導體層、主動層、P型半導體層以及導電層，所述半導體結構的一側蝕刻形成平臺并暴露出N型半導體層，所述二電極分別為N型電極和P型電極，N型電極形成在裸露的N型半導體層上，P型電極形成在導電層上。

3.如權利要求2所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述N型電極為一金屬墊，所述P型電極為一長條狀的金屬電極，并自導電層的上表面彎折延伸至半導體結構的側面以與外部電極電連接，所述N型電極通過打金線方式與外部電極電連接。

4.如權利要求3所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述P型電極與半導體結構的側面之間還形成有絕緣層。

5.如權利要求2所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述P型電極為一金屬墊，所述N型電極為一長條狀的金屬電極，并自導電層的上表面彎折延伸至半導體結構的側面以與外部電極電連接，所述P型電極通過打金線方式與外部電極電連接。

6.如權利要求2所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述P型電極、N型電極都為一長條狀的金屬電極，并自導電層的上表面彎折延伸至半導體結構的側面以與外部電極電連接。

7.如權利要求2所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述N型電極與所述P型電極利用濺鍍或蒸鍍的物理氣相層積的方法將金屬沉積于半導體結構上而形成。

8.如權利要求2所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述導電層以蒸鍍或濺鍍的物理氣相沉積法形成，材料為鎳/金、氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦鎢或是氧化銦鎵。

9.如權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于：自半導體層的上表面彎折延伸至半導體結構的側面的電極為長條狀。

10.如權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于：自半導體層的上表面彎折延伸至半導體結構的側面的電極通過導電膠或焊接方式與外部電極電連接。