[發明專利]畫素結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201210470170.7
• 申請日: 2012-11-15
• 公開（公告）號: CN103137619A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 韓家榮;歐李啟維;陳柏瑋;許宇禪;黃雋堯
• 申請（專利權）人: 華映光電股份有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 福州君誠知識產權代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

1.一種畫素結構，配置于一基板上，其特征在于：該畫素結構包括：

一閘極，配置于該基板上；

一電容電極，配置于該基板上；

一電容透明電極，配置于該基板上，且覆蓋該電容電極與部分的基板；

一閘絕緣層，配置于所述基板上，且覆蓋閘極與電容透明電極，該閘絕緣層具有一開口，且該開口暴露出部分電容透明電極；

一半導體層，配置于該閘絕緣層上，且位于所述閘極的上方；

一源極，配置于該閘絕緣層上；

一汲極，配置于該閘絕緣層上，其中該源極與該汲極暴露出部分該半導體層；

一保護層，配置于該閘絕緣層上，且覆蓋該源極、汲極、閘絕緣層以及所述開口所暴露出的電容透明電極，其中該保護層具有一接觸窗，且該接觸窗暴露出部分汲極；以及一畫素電極，配置于該保護層上，該畫素電極穿過所述接觸窗與汲極電性連接，其中該畫素電極與所述開口所暴露出的電容透明電極之間具有一重迭區域構成的一儲存電容。

2.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于：所述閘極與電容電極為同一膜層。

3.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于：所述電容透明電極的材質是銦錫氧化物或銦鋅氧化物。

4.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于：所述閘極、源極以及汲極構成一底閘型薄膜晶體管。

5.一種畫素結構的制作方法，其特征在于：其包括：

形成一閘極與一電容電極于一基板上；

形成電容透明電極于所述基板上，其中該電容透明電極覆蓋所述電容電極與部分該基板；

形成一閘絕緣層于所述基板上，其中該閘絕緣層覆蓋所述閘極與電容透明電極，該閘絕緣層具有一開口，且該開口暴露出部分該電容透明電極；

形成一半導體層于閘絕緣層上，且該半導體層位于閘極的上方；

形成一源極與一汲極于所述閘絕緣層上，且該源極與汲極暴露出部分半導體層；

形成一保護層于所述閘絕緣層上，且該保護層覆蓋源極、汲極、閘絕緣層以及所述開口所暴露出的電容透明電極，該保護層具有一接觸窗，且該接觸窗暴露出部分汲極；

形成一畫素電極于該保護層上，且該畫素電極穿過所述接觸窗與所述汲極電性連接，且該畫素電極與所述開口所暴露出的電容透明電極之間形成具有一重迭區域構成的一儲存電容。

6.根據權利要求5所述的畫素結構的制作方法，其特征在于：所述閘極與該電容電極為同一膜層。

7.根據權利要求5所述的畫素結構的制作方法，其特征在于：所述電容透明電極的材質是銦錫氧化物或銦鋅氧化物。

8.根據權利要求5所述的畫素結構的制作方法，其特征在于：所述形成該閘極與電容電極的步驟，包括：

形成一第一金屬層于該基板上；以及

圖案化該第一金屬層，以形成該閘極與該電容電極。

9.根據權利要求5所述的畫素結構的制作方法，其特征在于：所述形成源極與汲極的步驟，包括：

形成一第二金屬層于所述半導體層與所述閘絕緣層上；以及

圖案化該第二金屬層，以形成該源極以及汲極。

10.根據權利要求5所述的畫素結構的制作方法，其特征在于：所述閘極、源極以及汲極構成一底閘型薄膜晶體管。