[發明專利]畫素結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201210470170.7
• 申請日: 2012-11-15
• 公開（公告）號: CN103137619A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 韓家榮;歐李啟維;陳柏瑋;許宇禪;黃雋堯
• 申請（專利權）人: 華映光電股份有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 福州君誠知識產權代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

技術領域

本發明是有關于一種畫素結構及其制作方法，且特別是有關于一種具有儲存電容的畫素結構及其制作方法。

背景技術

由于顯示器的需求與日俱增，加上近年來綠色環保概念的興起，具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性的薄膜晶體管液晶顯示器(thin?film?transistor?liquid?crystal?display,?TFT-LCD)已逐漸成為顯示器市場的主流。為了滿足使用者的需求，薄膜晶體管液晶顯示器的性能不斷朝向高對比度(high?contrast?ratio)、無灰階反轉(no?gray?scale?inversion)、色偏小(little?color?shift)、高亮度?(high?luminance)、高色彩豐富度、高色飽和度、快速反應、顯示畫面穩定與廣視角等特性發展。

一般而言，薄膜晶體管液晶顯示器主要由分別配置有畫素數組與彩色濾光數組的兩基板以及配置于此兩基板間的液晶層所組成。現有技術中的畫素結構包括薄膜晶體管、畫素電極以及儲存電容下電極。畫素電極電性連接薄膜晶體管。儲存電容下電極與畫素電極構成一儲存電容，以維持畫素結構顯示影像的穩定。由于儲存電容的電容值與TFT-LCD畫素的充放電特性息息相關，儲存電容過大可能會有充電不足的問題；太小則易造成顯示畫面的閃爍。然而，TFT-LCD的薄膜晶體管數組基板所使用的掃描配線、數據配線及儲存電容下電極配線一般是采遮光的金屬材質，而金屬材質的配線將遮蔽光線透過，其大大的限制了產品的光利用效率，并使得背光模塊的消耗功率增加。若是通過減少掃描配線、數據配線的幅寬來提升TFT-LCD光利用效率，將使得TFT-LCD配線的RC負載增加，造成訊號傳遞的失真；而通過減少儲存電容電極的幅寬來提升TFT-LCD光利用效率，則可能因儲存電容不符需求，而造成顯示畫面閃爍，影響顯示質量。

發明內容

為了克服現有技術的不足，本發明的目的是提供一種可增加儲存電容值畫素結構及其制作方法。

為了實現上述目的，本發明采用以下技術方案：一種畫素結構，配置于一基板上，該畫素結構包括：

一閘極，配置于所述基板上；

一電容電極，配置于所述的基板上；

一電容透明電極，配置于所述的基板上，且覆蓋所述電容電極與部分的基板；

一閘絕緣層，配置于所述基板上，且覆蓋閘極與電容透明電極，該閘絕緣層具

有一開口，且該開口暴露出部分電容透明電極；

一半導體層，配置于所述閘絕緣層上，且位于所述閘極的上方；

一源極，配置于所述閘絕緣層上；

一汲極，配置于所述閘絕緣層上，其中源極與該汲極暴露出部分半導體層；

一保護層，配置于所述閘絕緣層上，且覆蓋源極、汲極、閘絕緣層以及所述開口所暴露出的電容透明電極，其中該保護層具有一接觸窗，且該接觸窗暴露出部分汲極；

以及一畫素電極，配置于該保護層上，該畫素電極透過所述接觸窗與汲極電性連接，其中該畫素電極與所述開口所暴露出的電容透明電極之間具有一重迭區域構成的一儲存電容。

所述閘極與電容電極為同一膜層。

所述電容透明電極的材質是銦錫氧化物或銦鋅氧化物。

所述閘極、源極以及汲極構成一底閘型薄膜晶體管。

為了實現前述目的，本發明還提供一種畫素結構的制作方法，其包括：

形成一閘極與一電容電極于一基板上；

形成電容透明電極于所述基板上，其中該電容透明電極覆蓋所述電容電極與部分該基板；

形成一閘絕緣層于所述基板上，其中該閘絕緣層覆蓋所述閘極與電容透明電極，該閘絕緣層具有一開口，且該開口暴露出部分該電容透明電極；

形成一半導體層于閘絕緣層上，且半導體層位于閘極的上方；???

形成一源極與一汲極于所述閘絕緣層上，且源極與該汲極暴露出部分半導體層；

形成一保護層于所述閘絕緣層上，且該保護層覆蓋源極、汲極、閘絕緣層以及所述開口所暴露出的電容透明電極，該保護層具有一接觸窗，且該接觸窗暴露出部分汲極；

形成一畫素電極于該保護層上，且該畫素電極穿過所述接觸窗與所述汲極電性連接，且該畫素電極與所述開口所暴露出的電容透明電極之間形成具有一重迭區域構成的一儲存電容。

所述閘極與該電容電極為同一膜層。

所述電容透明電極的材質為銦錫氧化物或銦鋅氧化物。

所述形成閘極與電容電極的步驟，包括：

形成一第一金屬層于該基板上；以及