[發明專利]晶體管、晶體管的制造方法、顯示裝置和電子設備

有效

• 申請號: 201210470032.9
• 申請日: 2012-11-19
• 公開（公告）號: CN103137866B
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發明（設計）人: 牛倉信一;八木巖
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司11290
• 代理人: 陳桂香,褚海英

1.一種晶體管，包括：

柵電極；

半導體層，其在絕緣層置于所述半導體層與所述柵電極之間的狀態下，面向所述柵電極；

在所述半導體層上的蝕刻停止層；

一對接觸層，其至少在所述蝕刻停止層的兩側上設置在所述半導體層上；以及

源-漏電極，其通過一對所述接觸層電連接到所述半導體層，并且與所述絕緣層相接觸，

其中，所述一對接觸層包括位于所述蝕刻停止層的上表面上的部分和位于所述半導體層的上表面上的部分，并且因此處于不連續狀態。

2.根據權利要求1所述的晶體管，其中

一對所述接觸層具有彼此面對的各自的表面以及與所述各自的表面相反的各自的端面，以及

所述源-漏電極覆蓋各個所述接觸層的所述端面。

3.根據權利要求2所述的晶體管，其中，各個所述接觸層的位于所述半導體層上的所述端面的位置與所述半導體層的端面的位置一致。

4.根據權利要求1所述的晶體管，其中，一對所述接觸層也設置在所述蝕刻停止層的頂表面上。

5.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述絕緣層具有在所述源-漏電極與設置在所述絕緣層下方的電極之間建立連接的連接孔。

6.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述半導體層包括有機半導體材料。

7.一種制造晶體管的方法，所述方法包括：

形成柵電極；

在絕緣層置于半導體層與所述柵電極之間的狀態下，形成面向所述柵電極的所述半導體層；

在所述半導體層上形成蝕刻停止層；

至少在所述蝕刻停止層的兩側上在所述半導體層上形成一對接觸層；以及

在一對所述接觸層到所述絕緣層的區域、在所述絕緣層上以及在所述接觸層上形成源-漏電極，

其中，所述一對接觸層包括位于所述蝕刻停止層的上表面上的部分和位于所述半導體層的上表面上的部分，并且因此處于不連續狀態。

8.根據權利要求7所述的制造晶體管的方法，其中，所述半導體層和所述接觸層通過圖案化一同形成。

9.根據權利要求8所述的制造晶體管的方法，其中，所述圖案化是由激光燒蝕執行的。

10.一種具有像素和驅動所述像素的至少一個晶體管的顯示單元，所述至少一個晶體管包括：

柵電極；

半導體層，其在絕緣層置于所述半導體層與所述柵電極之間的狀態下，面向所述柵電極；

在所述半導體層上的蝕刻停止層；

一對接觸層，其至少在所述蝕刻停止層的兩側上設置在所述半導體層上；以及

源-漏電極，其通過一對所述接觸層電連接到所述半導體層，并且與所述絕緣層相接觸，

其中，所述一對接觸層包括位于所述蝕刻停止層的上表面上的部分和位于所述半導體層的上表面上的部分，并且因此處于不連續狀態。

11.一種具有顯示單元的電子設備，所述顯示單元設置有像素和驅動所述像素的至少一個晶體管的顯示單元，所述至少一個晶體管包括：

柵電極；

半導體層，其在絕緣層置于所述半導體層與所述柵電極之間的狀態下，面向所述柵電極；

在所述半導體層上的蝕刻停止層；

一對接觸層，其至少在所述蝕刻停止層的兩側上設置在所述半導體層上；以及

源-漏電極，其通過一對所述接觸層電連接到所述半導體層，并且與所述絕緣層相接觸，

其中，所述一對接觸層包括位于所述蝕刻停止層的上表面上的部分和位于所述半導體層的上表面上的部分，并且因此處于不連續狀態。