[發(fā)明專利]晶體管、晶體管的制造方法、顯示裝置和電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210470032.9
• 申請日: 2012-11-19
• 公開（公告）號: CN103137866B
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 牛倉信一;八木巖
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11290
• 代理人: 陳桂香,褚海英

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及適合于有機半導(dǎo)體材料用于半導(dǎo)體層的應(yīng)用的晶體管、晶體管的制造方法、顯示裝置和電子設(shè)備。

背景技術(shù)

薄膜晶體管(TFT)用作大量電子設(shè)備(例如顯示單元)中作為驅(qū)動裝置。在TFT中，柵電極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層和源-漏電極設(shè)置在襯底上。對于這種TFT的半導(dǎo)體層，使用無機材料或有機材料。在成本、柔性等方面對由有機材料形成的半導(dǎo)體層(有機半導(dǎo)體層)有期待，并且已經(jīng)進行了發(fā)展(例如，見APPLIED PHYSICS LETTERS，2005，87，193508和APPLIED PHYSICS LETTERS，2009，94，055304)。

發(fā)明內(nèi)容

期望能通過減小制造缺陷來更有效率地制造使用有機半導(dǎo)體層的TFT。

期望提供能夠以高產(chǎn)量制造的晶體管、制造晶體管的方法以及都具有這種晶體管的顯示單元和電子設(shè)備。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供一種晶體管，包括：柵電極；半導(dǎo)體層，其在絕緣層置于半導(dǎo)體層與柵電極之間的狀態(tài)下，面向柵電極；在半導(dǎo)體層上的蝕刻停止層；一對接觸層，其至少在蝕刻停止層的兩側(cè)上設(shè)置在半導(dǎo)體層上；以及源-漏電極，其通過一對接觸層電連接到半導(dǎo)體層，并且與絕緣層相接觸。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了一種具有像素和驅(qū)動像素的至少一個晶體管的顯示單元。至少一個晶體管包括：柵電極；半導(dǎo)體層，其在絕緣層置于半導(dǎo)體層與柵電極之間的狀態(tài)下，面向柵電極；在半導(dǎo)體層上的蝕刻 停止層；一對接觸層，其至少在蝕刻停止層的兩側(cè)上設(shè)置在半導(dǎo)體層上；以及源-漏電極，其通過一對接觸層電連接到半導(dǎo)體層，并且與絕緣層相接觸。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了一種具有顯示單元的電子設(shè)備，顯示單元設(shè)置有像素和驅(qū)動像素的至少一個晶體管的顯示單元。至少一個晶體管包括：柵電極；半導(dǎo)體層，其在絕緣層置于半導(dǎo)體層與柵電極之間的狀態(tài)下，面向柵電極；在半導(dǎo)體層上的蝕刻停止層；一對接觸層，其至少在蝕刻停止層的兩側(cè)上設(shè)置在半導(dǎo)體層上；以及源-漏電極，其通過一對接觸層電連接到半導(dǎo)體層，并且與絕緣層相接觸。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了一種制造晶體管的方法，方法包括：形成柵電極；在絕緣層置于半導(dǎo)體層與柵電極之間的狀態(tài)下，形成面向柵電極的半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成蝕刻停止層；至少在蝕刻停止層的兩側(cè)上在半導(dǎo)體層上形成一對接觸層；以及在從一對接觸層到絕緣層的區(qū)域、在絕緣層上以及在接觸層上形成源-漏電極。

在根據(jù)本發(fā)明的上述實施例的晶體管仲，接觸層設(shè)置在半導(dǎo)體層上。因此，接觸層不存在于半導(dǎo)體層周圍的區(qū)域中，并且絕緣層和源-漏電機在該區(qū)域中彼此直接接觸。

根據(jù)本發(fā)明的上述實施例的晶體管、制造晶體管的方法、顯示單元和電子設(shè)備，接觸層設(shè)置在半導(dǎo)體層上，并且源-漏電機直接與絕緣層接觸。因此，允許防止由于在半導(dǎo)體層附近的區(qū)域中的接觸層引起的層剝離。因此，可以實現(xiàn)抑制制造缺陷和高制造產(chǎn)量。

應(yīng)當(dāng)理解，前文的一般描述和下文的詳細(xì)描述都是示例性的，旨在對要求保護的技術(shù)進行進一步說明。

附圖說明

附圖用來提供對公開內(nèi)容的進一步理解，并且并入說明書中并組成說明書的一部分。附圖示出實施例，并與說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的晶體管的構(gòu)造。

圖2A和圖2B是示出以處理順序制造圖1中所示的晶體管的方法的截面圖。

圖3A和3B是示出在圖2B之后的處理的截面圖。

圖4是示出了在圖3B之后的處理的示例的截面圖。

圖5是示出了根據(jù)修改形式1的晶體管的構(gòu)造的截面圖。

圖6是示出了根據(jù)修改形式2的晶體管的構(gòu)造的截面圖。

圖7示出了根據(jù)修改形式的晶體管的構(gòu)造。

圖8A和圖8B是示出以處理順序制造圖7中所示的晶體管的方法的截面圖。

圖9A和圖9B是是出了在圖8B之后的處理的截面圖。

圖10是示出根據(jù)應(yīng)用示例1的顯示單元的電路構(gòu)造的示圖。

圖11是示出圖10中所示的像素驅(qū)動電路的示例的等效電路示意圖。

圖12A和圖12B是示出了應(yīng)用示例2的外觀的立體圖。

圖13是示出了應(yīng)用示例3的外觀的立體圖。

圖14A和圖14B是示出了應(yīng)用示例4的外觀的立體圖，即，圖14A示出了再從前方觀察時的外觀，并且圖14B示出了在從后方觀察時的外觀。

圖15是示出了應(yīng)用示例5的外觀的立體圖。

圖16是示出了應(yīng)用示例6的外觀的立體圖。