[發(fā)明專利]一種回收多晶硅生產(chǎn)所產(chǎn)生的尾氣的新工藝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210469181.3 | 申請日: | 2012-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN102923715A | 公開(公告)日: | 2013-02-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李小港 | 申請(專利權(quán))人: | 天威四川硅業(yè)有限責任公司 |
| 主分類號: | C01B33/107 | 分類號: | C01B33/107;C01B3/50 |
| 代理公司: | 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 方強 |
| 地址: | 611430 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 回收 多晶 生產(chǎn) 產(chǎn)生 尾氣 新工藝 | ||
1.一種回收多晶硅生產(chǎn)所產(chǎn)生的尾氣的新工藝,所述尾氣的組分包括H2、HCl、HSiCl3、SiCl4、H2SiCl2,其特征在于所述新工藝包括以下步驟:
冷卻步驟:將還原爐輸出的溫度為500~600℃的尾氣經(jīng)第一次冷卻后輸送到HCl轉(zhuǎn)化器;
反應步驟:在HCl轉(zhuǎn)化器中HCl與HSiCl3、H2SiCl2反應完全生成相應的氯硅烷;
氣液分離步驟:將HCl轉(zhuǎn)化器出來的尾氣經(jīng)第二次冷卻后,尾氣溫度降至常溫,再用SiCl4冷凍液進行噴淋,對H2與氯硅烷進行氣液分離;
H2純化步驟:將H2經(jīng)過吸附柱進行吸附除雜后,進行回收處理;
與H2純化步驟同時進行的HSiCl3分離步驟:將氯硅烷液體經(jīng)過精餾后,再將分離出的HSiCl3進行回收處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種回收多晶硅生產(chǎn)所產(chǎn)生的尾氣的新工藝,其特征在于:所述冷卻步驟中,經(jīng)第一次冷卻后進入HCl轉(zhuǎn)化器的尾氣溫度為50~400℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種回收多晶硅生產(chǎn)所產(chǎn)生的尾氣的新工藝,其特征在于:所述冷卻步驟與氣液分離步驟中,分別采用換熱器作為第一次冷卻與第二次冷卻的冷卻設(shè)備。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種回收多晶硅生產(chǎn)所產(chǎn)生的尾氣的新工藝,其特征在于:所述反應步驟中,反應溫度為50~500℃,壓力為0.1MPa~2.0MPa。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種回收多晶硅生產(chǎn)所產(chǎn)生的尾氣的新工藝,其特征在于:所述反應步驟中,采用固定床反應器、流化床反應器或移動床反應器作為HCl轉(zhuǎn)化器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種回收多晶硅生產(chǎn)所產(chǎn)生的尾氣的新工藝,其特征在于:所述反應步驟中,采用多個HCl轉(zhuǎn)化器,并用串聯(lián)方式將多個HCl轉(zhuǎn)化器連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的一種回收多晶硅生產(chǎn)所產(chǎn)生的尾氣的新工藝,其特征在于:所述反應步驟中,在HCl轉(zhuǎn)化器中添裝有催化劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種回收多晶硅生產(chǎn)所產(chǎn)生的尾氣的新工藝,其特征在于:所述反應步驟中,添裝的催化劑為分子篩催化劑、金屬催化劑、高分子交聯(lián)樹脂催化劑、金屬離子負載型催化劑中的一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種回收多晶硅生產(chǎn)所產(chǎn)生的尾氣的新工藝,其特征在于:所述H2純化步驟中,H2吸附柱中裝有吸附劑,吸附劑為活性炭、硅膠或MCM-41分子篩中的一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種回收多晶硅生產(chǎn)所產(chǎn)生的尾氣的新工藝,其特征在于:所述H2純化步驟中,將H2經(jīng)過吸附柱進行吸附除雜后,輸送給還原爐進行回收處理;所述與H2純化步驟同時進行的HSiCl3分離步驟中,將氯硅烷液體經(jīng)過精餾后,再將分離出的HSiCl3輸送給還原爐進行回收處理。
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