[發明專利]一種以Zn膜為基材直接制備N摻雜ZnO薄膜的方法無效
| 申請號： | 201210469096.7 | 申請日： | 2012-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN102925856A | 公開（公告）日： | 2013-02-13 |
| 發明（設計）人： | 彭壽;王蕓;沈洪雪;彭程 | 申請（專利權）人： | 蚌埠玻璃工業設計研究院;中國建材國際工程集團有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/34;C23C14/14;C23C14/58;H01L21/203;H01L33/00 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源專利商標事務所 34113 | 代理人： | 倪波 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 zn 基材 直接 制備 摻雜 zno 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種以Zn膜為基材直接制備N摻雜ZnO薄膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）選用清潔Si片作為襯底材料，以純度為99.99%的金屬鋅作為濺射靶材；
（2）襯底材料放入離子束濺射腔室中，當腔室中真空度達到1.0×10-4Pa時，通入濺射氣體氬氣，啟動清洗槍，對襯底材料進行清洗；
（3）襯底材料清洗完成后，開啟濺射槍，進行離子束鍍膜，束流電壓為700～800V，加速電壓210～230V，束流20～30mA，放電電壓為50～70V；
（4）經過離子束沉積得到的Zn膜在氣氛爐中進行N2、O2混氣退火處理直接得到N摻雜ZnO薄膜，霍爾效應檢測顯示所得薄膜為N摻雜P型ZnO薄膜。
2.根據權利要求1所述的一種以Zn膜為基材直接制備N摻雜ZnO薄膜的方法，其特征在于，步驟（4）氣氛爐中通入N2和O2的體積比為1.5：1。
3.根據權利要求1所述的一種以Zn膜為基材直接制備N摻雜ZnO薄膜的方法，其特征在于，步驟（4）退火處理的溫度為600～700℃，時間為2小時。
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