[發明專利]釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜、其制備方法和電致發光器件

無效

• 申請號: 201210468868.5
• 申請日: 2012-11-19
• 公開（公告）號: CN103820117A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;鐘鐵濤
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/79
• 分類號: C09K11/79;H01L33/50;H01L33/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

技術領域

本發明涉及發光薄膜領域，尤其涉及一種釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜及其制備方法。本發明還涉及一種電致發光器件發光器件，該器件發光層的材質采用釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜。

背景技術

薄膜電致發光顯示器(TFELD)由于其主動發光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優點，已引起了廣泛的關注，且發展迅速。

稀土硅酸鹽鹽類發光材料是作為LED熒光粉的熱門研究材料。紫外激發藍色熒光粉Lu₂SiO₅∶0.006Ce³⁺已經可以作為商用的產品，并在不斷的改善研發中。但利用這類材料做成發光薄膜的報道，仍非常少見。

發明內容

基于上述問題，本發明所要解決的問題在于提供一種釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜。

本發明的技術方案如下：

一種釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜，具有分子通式：La_aGd_bLu_cSiO₅:xSm³⁺；其中，La_aGd_bLu_cSiO₅是基質，Sm³⁺是激活離子，在薄膜中充當發光中心；式中，0≤a≤2、0≤b≤2、0≤c≤2，a+b+c=2，x取值范圍為0.01~0.05；優選，a=0.3，b=0.5，c=1.2，a+b+c=2，x的取值為0.03。

上述釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜的制備方法，包括步驟：

(1)、陶瓷靶材的制備：根據分子通式La_aGd_bLu_cSiO₅:xSm³⁺中各元素化學計量比，稱取La₂O₃，Gd₂O₃，Lu₂O₃，SiO,Sm₂O₃粉體，經過均勻混合后，在900~1300℃下燒結處理0.5~5h，制成陶瓷靶材；

優選，對制得的陶瓷靶材進行切割處理：切割成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷靶材，表示為Φ50×2mm；

(2)、將步驟(1)中的陶瓷靶材和氧化銦錫玻璃裝入鍍膜設備的真空腔體，抽真空處理；其中，氧化銦錫玻璃包括玻璃基底，以及濺鍍在玻璃表面、起導電陽極作用的氧化銦錫(簡稱ITO)，因此，氧化銦錫玻璃又稱作ITO玻璃；

優選，ITO玻璃被置入真空腔體前，還需對其進行清洗處理：先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗ITO玻璃；為獲得更高的功函數，更優選對ITO進行氧等離子處理，氧等離子處理為現有技術，在此不再贅述；

(3)、調節工藝參數：基靶間距為45~95mm，襯底溫度為250℃~750℃，激光的能量為80~300W，過程中通入的氧氣流量為10~40sccm，工作壓強為0.5~5Pa；隨后進行制膜；

待上述工藝完成后，在氧化銦錫玻璃的氧化銦錫表面制得所述的釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜，該發光薄膜具有分子通式：La_aGd_bLu_cSiO₅:xSm³⁺；其中，La_aGd_bLu_cSiO₅是基質，Sm³⁺是激活離子，在薄膜中充當發光中心；式中，0≤a≤2、0≤b≤2、0≤c≤2，a+b+c=2，x取值范圍為0.01~0.05，優選，a=0.3，b=0.5，c=1.2，a+b+c=2，x的取值為0.03。

所述釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜的制備方法，優選，步驟(1)中，所述燒結處理的溫度為1250℃，燒結時間為3.5h。

所述釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜的制備方法，優選，步驟(2)中，所述抽真空處理是采用機械泵和分子泵進行的，且真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa~1.0×10^-5Pa；更有選，所述抽真空處理后，真空腔體的真空度為5.0×10^-4Pa。