[發明專利]釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜、其制備方法和電致發光器件

無效

• 申請號: 201210468868.5
• 申請日: 2012-11-19
• 公開（公告）號: CN103820117A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;鐘鐵濤
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/79
• 分類號: C09K11/79;H01L33/50;H01L33/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜，其特征在于，具有分子通式：La_aGd_bLu_cSiO₅:xSm³⁺；其中，La_aGd_bLu_cSiO₅是基質，Sm³⁺是激活離子，在薄膜中充當發光中心；式中，0≤a≤2、0≤b≤2、0≤c≤2，a+b+c=2，x取值范圍為0.01~0.05。

2.根據權利要求1所述的釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜，其特征在于，a=0.3，b=0.5，c=1.2，x的取值0.03。

3.一種釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：

(1)、陶瓷靶材的制備：根據分子通式La_aGd_bLu_cSiO₅:xSm³⁺中各元素化學計量比，稱取La₂O₃，Gd₂O₃，Lu₂O₃，SiO,Sm₂O₃粉體，經過均勻混合后，在900~1300℃下燒結處理0.5~5h,制成陶瓷靶材；

(2)、將步驟(1)中的陶瓷靶材和氧化銦錫玻璃裝入鍍膜設備的真空腔體，抽真空處理；

(3)、調節工藝參數：基靶間距為45~95mm，襯底溫度為250℃~750℃，激光的能量為80~300W，過程中通入的氧氣流量為10~40sccm，工作壓強為0.5~5Pa；隨后進行制膜；

待上述工藝完成后，在氧化銦錫玻璃的氧化銦錫表面制得所述的釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜，該發光薄膜具有分子通式：La_aGd_bLu_cSiO₅:xSm³⁺；其中，La_aGd_bLu_cSiO₅是基質，Sm³⁺是激活離子，在薄膜中充當發光中心；式中，0≤a≤2、0≤b≤2、0≤c≤2，a+b+c=2，x取值范圍為0.01~0.05。

4.根據權利要求3所述的釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述燒結處理的溫度為1250℃，燒結時間為3.5h。

5.根據權利要求3所述的釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，所述抽真空處理是采用機械泵和分子泵進行的，且真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa~1.0×10^-5Pa。

6.根據權利要求5所述的釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，所述抽真空處理后，真空腔體的真空度為5.0×10^-4Pa。

7.根據權利要求3所述的釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，工藝參數設置：基靶間距為60mm，襯底溫度為500℃，激光的能量為150W，過程中通入的氧氣流量為20sccm，工作壓強為3Pa。

8.根據權利要求3所述的釤摻雜稀土硅酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，a=0.3，b=0.5，c=1.2，x的取值為0.03。

9.一種電致發光器件，該器件包括氧化銦錫玻璃、層疊在氧化銦錫玻璃的氧化銦錫表面發光薄膜層，以及層疊在發光薄膜層表面的陰極，其特征在于，所述發光薄膜層的材質具有分子通式：La_aGd_bLu_cSiO₅:xSm³⁺；其中，La_aGd_bLu_cSiO₅是基質，Sm³⁺是激活離子，在薄膜中充當發光中心；式中，0≤a≤2、0≤b≤2、0≤c≤2，a+b+c=2，x取值范圍為0.01~0.05。

10.根據權利要求9所述的電致發光器件，其特征在于，a=0.3，b=0.5，c=1.2，x的取值為0.03。