[發(fā)明專(zhuān)利]用于功率MOS晶體管的裝置和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210468800.7
• 申請(qǐng)日: 2012-11-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103545371A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 伍震威;周學(xué)良;蘇柏智;柳瑞興
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/78
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底，具有第一導(dǎo)電性；

第一區(qū)，具有第二導(dǎo)電性并形成在所述襯底上方；

第二區(qū)，具有所述第二導(dǎo)電性并從所述第一區(qū)生長(zhǎng)；

第三區(qū)，具有所述第一導(dǎo)電性并形成在所述第二區(qū)中；

第一漏極/源極區(qū)，具有所述第二導(dǎo)電性并形成在所述第三區(qū)中；

第一溝槽，包括：

介電層，形成在所述第一溝槽的底部中；和

柵極區(qū)，形成在所述第一溝槽的上部中；

第二漏極/源極區(qū)，具有所述第二導(dǎo)電性，形成在所述第二區(qū)中并位于所述第一溝槽與所述第一漏極/源極區(qū)相對(duì)的一側(cè)；以及

第二溝槽，耦合在所述第二漏極/源極區(qū)和所述第二區(qū)之間，所述第二溝槽具有與所述第一溝槽相同的深度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二溝槽的寬度大于所述第一溝槽的寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二溝槽被配置成沿著所述第二溝槽的側(cè)壁生成積累層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一區(qū)是隱埋層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二區(qū)是外延層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第三區(qū)是體區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括：

第四區(qū)，具有所述第一導(dǎo)電性并形成在所述第三區(qū)中，其中，所述第四區(qū)耦合至所述第一漏極/源極區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵極區(qū)耦合至所述第二溝槽。

9.一種器件，包括：

第一漏極/源極區(qū)，具有第一導(dǎo)電性；

第一柵極，形成在第一溝槽中，其中，所述第一溝槽包括形成在所述第一柵極下方的介電層；

第二漏極/源極區(qū)，具有所述第一導(dǎo)電性，其中，所述第一漏極/源極區(qū)和所述第二漏極/源極區(qū)形成在所述第一柵極的相對(duì)側(cè)；以及

第二溝槽，其中：

所述第二溝槽具有與所述第一溝槽相同的深度；并且

所述第二溝槽和所述第一溝槽形成在所述第二漏極/源極區(qū)的相對(duì)側(cè)。

10.一種方法，包括：

在具有第二導(dǎo)電性的襯底上方形成具有第一導(dǎo)電性的隱埋層；

從所述隱埋層生長(zhǎng)具有所述第一導(dǎo)電性的外延層；

形成延伸到所述外延層和所述隱埋層中的第一溝槽和第二溝槽，其中：

所述第一溝槽和所述第二溝槽具有相同的深度；并且

所述第二溝槽的寬度大于所述第一溝槽的寬度；

在所述第一溝槽的底部中形成介電層；

在所述第一溝槽的上部中形成第一柵電極；

將具有所述第二導(dǎo)電性的離子注入到位于所述第一溝槽的第一側(cè)的所述外延層中以形成體區(qū)；

在位于所述第一溝槽的第一側(cè)的所述體區(qū)上方形成第一漏極/源極區(qū)；以及

在位于所述第一溝槽的第二側(cè)的所述外延層上方形成第二漏極/源極區(qū)。