[發明專利]曝光裝置的控制方法、曝光方法及組件制造方法

無效

• 申請號: 201210468689.1
• 申請日: 2005-08-01
• 公開（公告）號: CN102998910A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 大和壯一;長坂博之;菅原龍
• 申請（專利權）人: 株式會社尼康
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 許海蘭

本申請是申請號為201010129961.4，申請日為2005年8月1日，發明名稱為“曝光裝置、曝光方法及組件制造方法”的分案申請。

其中，上述申請號為201010129961.4的申請是申請號為200580023601.3，申請日為2005年8月1日，發明名稱為“曝光裝置、曝光方法及組件制造方法”的分案申請。

技術領域

本發明涉及透過液體使基板曝光的曝光裝置及組件制造方法。

背景技術

半導體組件或液晶顯示組件，系通過將形成于掩模上之圖案轉印于感旋光性基板上，即所謂光刻方法來制造。在其光刻步驟所使用之曝光裝置，具有支撐掩模之掩模載臺與支撐基板之基板載臺，邊逐次移動掩模載臺與基板載臺邊透過投影光學系統將掩模之圖案轉印于基板上。近年來，為應對組件圖案之更高集成化而期待投影光學系統之更高分辨率化。所使用之曝光波長越短、且投影光學系統之數值孔徑越大，投影光學系統之分辨率越高。為此，曝光裝置所使用之曝光波長逐年短波長化，投影光學系統之數值孔徑亦增大。又，現在主流之曝光波長雖系KrF準分子激光光之248nm，但更短波長之ArF準分子激光光之193nm亦已實用化。又，在要進行曝光時，焦點深度(DOF)亦與分辨率同樣重要。分辨率R、及焦點深度δ分別以下式表示。

R=k₁×λ/NA????…(1)

δ=±k₂×λ/NA²…(2)

在此，λ系曝光波長，NA系投影光學系統之數值孔徑，k₁、k₂系比例系數。從式(1)、式(2)得知，若為提高分辨率R而縮短曝光波長λ、增大數值孔徑NA，則會使焦點深度δ變小。

若焦點深度δ過小，則使基板表面與投影光學系統之像面一致變得困難，會有曝光動作時之聚焦裕度(focus?margin)不足之虞。因此，作為實質地使曝光波長縮短、且使焦點深度變大之方法，例如，已提出了國際公開第99/49504號小冊子所揭示之液浸法。該液浸法，系以水或有機溶劑等液體填滿投影光學系統之下表面與基板表面之間來形成液浸區域，利用液體中之曝光用光之波長會變成空氣中之1/n(n系液體之折射率，通常系1.2~1.6左右)來提高分辨率，并且將焦點深度放大約n倍。

然而，為了利用液浸法良好地進行曝光處理，必需使液浸區域形成為期望狀態。因此，較佳為，先掌握液體之液浸區域之狀態，確認液浸區域為期望狀態后，再進行曝光處理。

發明內容

本發明有鑒于上述情形，其目的在于提供能掌握液體之液浸區域之狀態之曝光裝置及曝光方法、以及使用該曝光裝置及曝光方法之組件制造方法。

為解決上述問題，本發明系采用對應于實施方式所示之各圖的以下構成。但是，附在各要件之帶括號符號僅系該要件之例示，不限于各要件。

依本發明之第1方式，提供一種曝光裝置，透過液浸區域之液體將基板曝光，其特征在于具備：投影光學系統，具有最靠近該投影光學系統的像面之第1光學元件；液浸機構，在設置于該投影光學系統之像面側之既定面與該第1光學元件之間形成液體之液浸區域；及觀察裝置，用以觀察該液浸區域之狀態。

依本發明之第2方式，提供一種曝光裝置，透過液浸區域之液體將基板曝光，其特征在于具備：投影光學系統，具有最靠近該投影光學系統的像面之第1光學元件、及次于該第1光學元件靠近該像面之第2光學元件；液浸機構，用以在該第1光學元件與該第2光學元件之間形成液體之液浸區域；及觀察裝置，用以觀察液浸區域之狀態。又依本發明之第3方式，提供一種曝光裝置，透過液浸區域之液體將基板曝光，其特征在于具備：光學元件；液浸機構，用以將配置于該光學元件之光射出側之既定面與該光學元件之間以液體填滿；及觀察裝置，用以觀察該光學元件與該既定面之間之液體狀態。

依本發明之第1~第3方式，因設置用以觀察液浸區域之狀態之觀察裝置，故根據該觀察裝置之觀察結果，能確認所形成之液浸區域是否為期望狀態。并且，若根據觀察裝置之觀察結果而判斷為所形成之液浸區域系期望狀態時，例如通過進行基板之曝光，能透過液浸區域之液體將基板良好地曝光。另一方面，若根據觀察裝置之觀察結果而判斷為所形成之液浸區域系不是期望狀態時，能采取用以使液浸區域成為期望狀態之適當措施，例如能進行液體之置換。

依本發明之第4方式，提供一種組件制造方法，其特征在于：該組件系使用上述方式之曝光裝置來制造。