[發明專利]發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201210468052.2
• 申請日: 2012-11-20
• 公開（公告）號: CN103840057B
• 公開（公告）日: 2016-10-26
• 發明（設計）人: 蔡明達;陳靖中
• 申請（專利權）人: 青島玉蘭祥商務服務有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/54;H01L33/50;H01L25/075
• 代理公司: 深圳市神州聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 44324
• 代理人: 鄧揚

1.一種發光二極管，包括基板及設于基板上的發光二極管芯片，其特征在于：所述基板上形成凹槽，所述凹槽具有臺階部，所述基板具有對應所述凹槽底部的底座，所述底座位于所述臺階部下方，所述發光二極管芯片包括第一發光芯片及若干第二發光芯片，所述第一發光芯片發出光的波長小于所述第二發光芯片發出光的波長，所述第一發光芯片設置于凹槽的底座上，所述第二發光芯片設置于所述臺階部上并分布于所述第一發光芯片外圍，所述凹槽內填充有熒光物質，形成覆蓋所述第一發光芯片及第二發光芯片的熒光層，覆蓋至第一發光芯片的熒光層內的熒光物質多于覆蓋至第二發光芯片的熒光層內的熒光物質。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述第二發光芯片的數目為2個，其分別設于所述第一發光芯片相對兩側的臺階部。

3.如權利要求2所述的發光二極管，其特征在于：所述第一發光芯片與第二發光芯片位于同一平面內。

4.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述凹槽包括第一凹槽及頂端與第一凹槽底端連通且同軸設置的第二凹槽，所述第一凹槽的底端孔徑大于所述第二凹槽的頂端孔徑。

5.如權利要求4所述的發光二極管，其特征在于：所述第一凹槽及第二凹槽的孔徑均沿基板厚度方向自上向下逐漸減小。

6.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述臺階部及底座上且覆蓋第一發光芯片及第二發光芯片的熒光層的厚度處處相等。

7.一種發光二極管的制造方法，其包括以下步驟：

提供基板，并在所述基板上凹陷形成凹槽，所述凹槽具有臺階部，所述基板具有對應所述凹槽底部的底座，所述底座位于所述臺階部下方；

提供發光二極管芯片，所述發光二極管芯片包括第一發光芯片及第二發光芯片，所述第一發光芯片發出光的波長小于所述第二發光芯片發出光的波長，其中，所述第一發光芯片設置于凹槽的底座上，所述第二發光芯片設置于所述臺階部上；

在所述凹槽內填充熒光物質，形成覆蓋所述第一發光芯片及第二發光芯片的熒光層，并使覆蓋至第一發光芯片的熒光層內的熒光物質多于覆蓋至第二發光芯片的熒光層內的熒光物質，進而形成發光二極管。

8.如權利要求7所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：還包括將位于凹槽中的熒光層中的熒光物質進行沉降，以使覆蓋至第一發光芯片的熒光物質的密度大于覆蓋至第二發光芯片的熒光物質的密度。

9.如權利要求8所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：進一步包括提供一沉降式離心機對所述發光二極管進行離心處理，使熒光層內的熒光物質沉降至所述臺階部以及底座上；控制該離心機工作合適的時間，使所述透明膠體與熒光物質分離開來，從而得到沉降至所述臺階部及底座上且覆蓋第一發光芯片及第二發光芯片的熒光層以及覆蓋于該熒光層之上的保護層。

10.如權利要求9所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述沉降至臺階部以及底座上的熒光層的厚度處處相等。