[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210468052.2
• 申請日: 2012-11-20
• 公開（公告）號: CN103840057B
• 公開（公告）日: 2016-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡明達;陳靖中
• 申請（專利權(quán)）人: 青島玉蘭祥商務(wù)服務(wù)有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/54;H01L33/50;H01L25/075
• 代理公司: 深圳市神州聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44324
• 代理人: 鄧揚

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件，尤其涉及一種發(fā)光二極管及其制造方法。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管（發(fā)光芯片）作為一種新興的光源，目前已廣泛應(yīng)用于多種照明場合之中，并大有取代傳統(tǒng)光源的趨勢。

而目前使用的白光發(fā)光二極管，通常采用如下方法制成：提供一基板，在基板上形成電極結(jié)構(gòu)，然后在電極結(jié)構(gòu)上結(jié)合一藍光發(fā)光芯片以及一紅光發(fā)光芯片，再在該藍光發(fā)光芯片上覆蓋一熒光層，該藍光發(fā)光芯片激發(fā)熒光物質(zhì)產(chǎn)生的光與紅光發(fā)光芯片發(fā)出的光混合形成白光。

然而，采用這種方法形成的白光發(fā)光二極管中，熒光層通常是均勻混合的，其密度處處相等，由于藍光發(fā)光芯片的中部發(fā)出的光線的強度大于其周緣側(cè)向發(fā)出的光線，因此，藍光發(fā)光芯片中部光線激發(fā)該熒光層所產(chǎn)生的光與藍光發(fā)光芯片周緣側(cè)向發(fā)出的光激發(fā)熒光物質(zhì)產(chǎn)生的光均勻度差異較大。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，有必要提供一種出光均勻的發(fā)光二極管及其制造方法。

一種發(fā)光二極管，包括基板及設(shè)于基板上的發(fā)光二極管芯片，所述基板上形成凹槽，所述凹槽具有臺階部，所述基板具有對應(yīng)所述凹槽底部的底座，所述底座位于所述臺階部下方，所述發(fā)光二極管芯片包括第一發(fā)光芯片及若干第二發(fā)光芯片，所述第一發(fā)光芯片發(fā)出光的波長小于所述第二發(fā)光芯片發(fā)出光的波長，所述第一發(fā)光芯片設(shè)置于凹槽的底座上，所述第二發(fā)光芯片設(shè)置于所述臺階部上并分布于所述第一發(fā)光芯片外圍，所述凹槽內(nèi)填充有熒光物質(zhì)，形成覆蓋所述第一發(fā)光芯片及第二發(fā)光芯片的熒光層，覆蓋至第一發(fā)光芯片的熒光層內(nèi)的熒光物質(zhì)多于覆蓋至第二發(fā)光芯片的熒光層內(nèi)的熒光物質(zhì)。

一種發(fā)光二極管的制造方法，其包括以下步驟：

提供基板，并在所述基板上凹陷形成凹槽，所述凹槽具有臺階部，所述基板具有對應(yīng)所述凹槽底部的底座，所述底座位于所述臺階部下方；

提供發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片包括第一發(fā)光芯片及第二發(fā)光芯片，所述第一發(fā)光芯片發(fā)出光的波長小于所述第二發(fā)光芯片發(fā)出光的波長，其中，所述第一發(fā)光芯片設(shè)置于凹槽的底座上，所述第二發(fā)光芯片設(shè)置于所述臺階部上；

在所述凹槽內(nèi)填充熒光物質(zhì)，形成覆蓋所述第一發(fā)光芯片及第二發(fā)光芯片的熒光層，并使覆蓋至第一發(fā)光芯片的熒光層內(nèi)的熒光物質(zhì)多于覆蓋至第二發(fā)光芯片的熒光層內(nèi)的熒光物質(zhì)，進而形成發(fā)光二極管。

本發(fā)明中的發(fā)光二極管中，通過在激發(fā)能力較強的發(fā)光芯片周圍形成較多的熒光物質(zhì)，在激發(fā)能力較弱的發(fā)光芯片周圍形成較少的熒光物質(zhì)，使得發(fā)光芯片激發(fā)相應(yīng)密度的熒光物質(zhì)后產(chǎn)生的光線混合更加均勻。

附圖說明

圖1是本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管的制造方法步驟流程圖。

圖2至圖4為本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管的制造方法步驟示意圖。

圖5為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極管制造方法中沉降熒光層中的熒光物質(zhì)的步驟示意圖。

圖6為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極管制造方法中形成封裝層的步驟示意圖。

主要元件符號說明