[發明專利]基板掩膜對位方法有效
| 申請號: | 201210465560.5 | 申請日: | 2012-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN102944970A | 公開(公告)日: | 2013-02-27 |
| 發明(設計)人: | 路光明;許朝欽;金基用;周子卿;贠向南;羅麗平 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/42 | 分類號: | G03F1/42;G03F9/00 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 韓國勝 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板掩膜 對位 方法 | ||
1.一種基板掩膜對位方法,其特征在于,包括:
S1、在一掩膜版上形成至少一組對位標記圖案;
S2、選取一定數量的基板作為樣本基板,利用所述掩膜版,分別在每塊所述樣本基板上形成多組對位標記圖案,所述多組對位標記圖案將所述樣本基板分為多個子基板區域;
S3、對多個所述樣本基板實施掩膜工藝,通過所述樣本基板上的多組對位標記圖案可實現對每個所述子基板區域的對位,且至少通過兩組所述對位標記圖案可對位一個所述子基板區域,在對位過程中記錄并存儲所述樣本基板上每組對位標記圖案的位置,然后根據存儲的多組對位標記圖案的位置參數對非樣本基板實施掩膜工藝。
2.根據權利要求1所述的基板掩膜對位方法,其特征在于,步驟S1具體為:在所述非樣本基板掩膜工藝中使用的掩膜版上形成至少一組對位標記圖案。
3.根據權利要求2所述的基板掩膜對位方法,其特征在于,每組所述對位標記圖案位于所述非樣本基板掩膜工藝中使用的掩膜版上的圖案區域間。
4.根據權利要求1所述的基板掩膜對位方法,其特征在于,所述基板的尺寸大于其掩膜工藝中使用的掩膜版的尺寸。
5.根據權利要求1所述的基板掩膜對位方法,其特征在于,選取3個所述基板作為樣本基板。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
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