[發(fā)明專利]基板掩膜對位方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210465560.5
• 申請日: 2012-11-16
• 公開（公告）號: CN102944970A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 路光明;許朝欽;金基用;周子卿;贠向南;羅麗平
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G03F1/42
• 分類號: G03F1/42;G03F9/00
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國勝

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及對位方法技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種基板掩膜對位方法。

背景技術(shù)

光刻是薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?LiquidCrystal?Display,簡稱為“TFT-LCD”）生產(chǎn)中的必須環(huán)節(jié)，曝光機進行曝光時為了實現(xiàn)各層之間圖形的重合度符合要求，必須保證對位精確，但大尺寸（即基板的尺寸大于掩膜版的尺寸）的基板內(nèi)部是像素區(qū)域，不能設(shè)置對位標記，如果曝光直接采用基板周邊的對位標記（如圖1所示），就大大降低了對位的精度，很難保證曝光的縫合度和各層之間圖形的重合度符合要求，導致制作的基板次品率很高。

發(fā)明內(nèi)容

（一）要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明提供一種基板掩膜對位方法，用以解決如何在大尺寸基板掩膜工藝中實現(xiàn)曝光精確對位的問題。

（二）技術(shù)方案

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種基板掩膜對位方法，包括：

S1、在一掩膜版上形成至少一組對位標記圖案；

S2、選取一定數(shù)量的基板作為樣本基板，利用所述掩膜版，分別在每塊所述樣本基板上形成多組對位標記圖案，所述多組對位標記圖案將所述樣本基板分為多個子基板區(qū)域；

S3、對多個所述樣本基板實施掩膜工藝，通過所述樣本基板上的多組對位標記圖案可實現(xiàn)對每個子基板區(qū)域的對位，且至少通過兩組所述對位標記圖案可對位一個所述子基板區(qū)域，在對位過程中記錄并存儲所述樣本基板上每組對位標記圖案的位置，然后根據(jù)存儲的多組對位標記圖案的位置參數(shù)對非樣本基板實施掩膜工藝。

如上所述的基板掩膜對位方法，優(yōu)選的是，步驟S1具體為：在所述非樣本基板掩膜工藝中使用的掩膜版上形成至少一組對位標記圖案。

如上所述的基板掩膜對位方法，優(yōu)選的是，步驟S1具體為：每組所述對位標記圖案位于所述非樣本基板掩膜工藝中使用的掩膜版上的圖案區(qū)域間形成。

如上所述的基板掩膜對位方法，優(yōu)選的是，所述基板的尺寸大于其掩膜工藝中掩膜版的尺寸。

如上所述的基板掩膜對位方法，優(yōu)選的是，選取3個所述基板作為樣本基板。

（三）有益效果

本發(fā)明所提供的基板掩膜對位方法首先在一掩膜版上形成多組對位標記圖案，并選取若干個大尺寸基板作為樣本基板，通過該掩膜版分別在每塊樣本基板上形成多組對位標記圖案，多組對位標記圖案將樣本基板分為多個子基板區(qū)域，然后對樣本基板實施掩膜工藝，通過樣本基板上的多組對位標記圖案可實現(xiàn)對每個子基板區(qū)域的精確對位，且至少通過兩組對位標記圖案可精確對位一個子基板區(qū)域，在對位過程中記錄并存儲每組對位標記圖案的位置，根據(jù)存儲的多組對位標記圖案的位置參數(shù)對非樣本基板實施掩膜工藝，保證了非樣本基板上同層圖案間的縫合度和不同層圖案間的重合度，能夠?qū)崿F(xiàn)良好品質(zhì)大尺寸基板的大量生產(chǎn)。其中，選取的樣本基板數(shù)量越多，對位的精度越高。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中基板上對應標記分布示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例中在掩膜版上形成對位標記的過程示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例中樣本基板上對位標記分布示意圖；

其中，1：基板；2：子基板區(qū)域；3：對位標記區(qū)域；4、5：一組對位標記圖案。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。

對于大尺寸基板1的掩膜工藝，由于基板1的尺寸大于其掩膜工藝中使用的掩膜版的尺寸，所以必須通過多次掩膜工藝才能形成大尺寸基板的每層圖案，如圖1所示，由于大尺寸基板1的對位標記圖案所在的對位標記區(qū)域3位于其周邊邊緣上，僅通過這些對位標記圖案很難實現(xiàn)掩膜工藝的精確對位，尤其是基板1中間部分掩膜工藝的精確對位，保證不了基板1上同層圖案間的良好縫合度和不同層圖案間的良好重合度。

為實現(xiàn)大尺寸基板1掩膜工藝的精確對位，本發(fā)明實施例中的基板掩膜對位方法包括：

S1、在一掩膜版上形成至少一組對位標記圖案；

基板1制作工藝中各層圖案的形成是利用掩膜版掩膜工藝來實現(xiàn)的，通常在掩膜版上包括不同區(qū)域的圖案，如圖2中的縱向區(qū)域L區(qū)、M區(qū)和R區(qū)以及各縱向區(qū)域中的橫向區(qū)域A區(qū)、B區(qū)和C區(qū)，可以通過遮光板的遮蔽進行不同區(qū)域的掩膜曝光，來形成基板1上各層的圖案。