[發(fā)明專利]具有自包含式測試單元的半導體存儲器件及其測試方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210465502.2 | 申請日： | 2012-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN103456366A | 公開（公告）日： | 2013-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 全泰昊;鄭畯燮;鄭升炫 | 申請（專利權(quán)）人： | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/12 | 分類號： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 石卓瓊;俞波 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 包含 測試 單元 半導體 存儲 器件 及其 方法 | ||
1.一種半導體存儲器件的測試方法，包括以下步驟：
在所述半導體存儲器件內(nèi)部產(chǎn)生第一隨機數(shù)據(jù)模式，并且將所述第一隨機數(shù)據(jù)模式編程在所述半導體存儲器件中；以及
在所述半導體存儲器件內(nèi)部產(chǎn)生第二隨機數(shù)據(jù)模式，并且比較所述第二隨機數(shù)據(jù)模式和從所述半導體存儲器件的存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)模式。
2.如權(quán)利要求1所述的測試方法，其中，在所述半導體存儲器件內(nèi)部產(chǎn)生所述第一隨機數(shù)據(jù)模式并且將所述第一隨機數(shù)據(jù)模式編程在所述半導體存儲器件中的步驟包括以下步驟：
從外部器件接收種值；以及
基于所述接收到的種值，產(chǎn)生所述第一隨機數(shù)據(jù)模式。
3.如權(quán)利要求2所述的測試方法，其中，根據(jù)所述第一隨機數(shù)據(jù)模式的復雜性而接收所述種值至少一次。
4.如權(quán)利要求3所述的測試方法，其中，基于相同的種值來產(chǎn)生所述第一隨機數(shù)據(jù)模式和所述第二隨機數(shù)據(jù)模式。
5.如權(quán)利要求2所述的測試方法，其中，在所述半導體存儲器件內(nèi)部產(chǎn)生所述第一隨機數(shù)據(jù)模式并且將所述第一隨機數(shù)據(jù)模式編程在所述半導體存儲器件中的步驟還包括以下步驟：
接收測試編程命令；以及
接收要被編程有所述第一隨機數(shù)據(jù)模式的存儲器單元的地址。
6.如權(quán)利要求5所述的測試方法，其中，接收所述測試編程命令的步驟、接收所述存儲器單元地址的步驟、產(chǎn)生所述第一隨機數(shù)據(jù)模式的步驟、以及編程所述第一隨機數(shù)據(jù)模式的步驟是順序執(zhí)行的。
7.如權(quán)利要求1所述的測試方法，其中，在所述半導體存儲器件內(nèi)部產(chǎn)生所述第二隨機數(shù)據(jù)模式，并且比較所述第二隨機數(shù)據(jù)模式和從所述半導體存儲器件的存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)模式的步驟包括以下步驟：
從外部器件接收種值；以及
基于接收到的種值而產(chǎn)生所述第二隨機數(shù)據(jù)模式。
8.如權(quán)利要求7所述的測試方法，其中，在所述半導體存儲器件內(nèi)部產(chǎn)生所述第二隨機數(shù)據(jù)模式，并且比較所述第二隨機數(shù)據(jù)模式和從所述半導體存儲器件的存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)模式的步驟還包括以下步驟：
接收測試讀取命令；
接收用于讀取所述存儲器單元的地址；以及
讀取所述存儲器單元。
9.如權(quán)利要求8所述的測試方法，其中，接收所述測試讀取命令的步驟、接收所述地址的步驟、接收所述種值的步驟、讀取所述存儲器單元的步驟、以及產(chǎn)生所述第二隨機數(shù)據(jù)模式的步驟是順序執(zhí)行的。
10.如權(quán)利要求8所述的測試方法，其中，接收所述測試讀取命令的步驟、接收所述地址的步驟以及接收所述種值的步驟是順序執(zhí)行的，以及
產(chǎn)生所述第二隨機數(shù)據(jù)模式的步驟和讀取所述存儲器單元的步驟是同時執(zhí)行的。
11.如權(quán)利要求8所述的測試方法，其中，所述測試讀取命令分成第一測試讀取命令和第二測試讀取命令；以及
產(chǎn)生所述第二隨機數(shù)據(jù)模式的步驟是在接收所述第一測試讀取命令的步驟與接收所述第二測試讀取命令的步驟之間執(zhí)行的。
12.如權(quán)利要求11所述的測試方法，其中，讀取所述存儲器單元的步驟是在所述第二測試讀取命令被接收之后執(zhí)行的。
13.如權(quán)利要求12所述的測試方法，還包括輸出包括失敗數(shù)據(jù)的數(shù)量的比較結(jié)果的步驟。
14.一種半導體存儲器件的測試方法，包括以下步驟：
響應(yīng)于從外部器件提供的測試命令，在所述半導體存儲器件內(nèi)部產(chǎn)生隨機數(shù)據(jù)模式；
利用所述隨機數(shù)據(jù)模式執(zhí)行測試；以及
輸出測試結(jié)果至所述外部器件。
15.如權(quán)利要求14所述的測試方法，其中，基于從外部器件提供的種值而產(chǎn)生所述隨機數(shù)據(jù)模式。
16.如權(quán)利要求14所述的測試方法，其中，將所述隨機數(shù)據(jù)模式編程在所述半導體存儲器件的存儲器單元中，并且將所述隨機數(shù)據(jù)模式與從所述存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)進行比較。
17.如權(quán)利要求14所述的測試方法，其中，所述測試結(jié)果包括失敗數(shù)據(jù)的數(shù)量。
18.如權(quán)利要求14所述的測試方法，其中，所述測試結(jié)果包括所述半導體存儲器件的每個存儲器單元的測試通過/失敗信息。
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