[發(fā)明專利]一種薄膜太陽電池的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201210465444.3
• 申請日: 2012-11-16
• 公開（公告）號: CN102943238A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李微
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第十八研究所
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58;H01L31/18
• 代理公司: 天津市鼎和專利商標(biāo)代理有限公司 12101
• 代理人: 李鳳

1.一種薄膜太陽電池的制備方法，以玻璃、柔性金屬或聚酰亞胺膜作為襯底，包括在襯底上依次制備底電極、吸收層、緩沖層、窗口層和上電極，其特征在于：所述吸收層包括以下制備步驟：⑴采用CuIn_1-XGa_xSe₂化合物靶材，通過射頻磁控濺射法，在襯底的底電極上制備CuIn_1-XGa_xSe₂層，⑵對⑴中制有CuIn_1-XGa_xSe₂層的襯底進(jìn)行退火處理，底電極上得到CuIn_1-XGa_xSe₂化合物半導(dǎo)體薄膜作為吸收層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜太陽電池的制備方法，其特征在于：所述的射頻磁控濺射法包括：將制有底電極的襯底置入真空濺射設(shè)備，對設(shè)備抽真空為<3×10^-3Pa、溫度達(dá)到200-500°C時，通入Ar氣，將黃銅礦相的CuIn_1-XGa_xSe₂（X＝0.2-0.4）化合物靶材在1.0-5.0W/cm²的靶功率密度下對底電極進(jìn)行射頻磁控濺射，底電極上得到厚度為0.7-2.5微米的CuIn_1-XGa_xSe₂層；所述退火處理包括：將制有CuIn_1-XGa_XSe₂層的襯底置入真空退火爐中，襯底在真空或Ar氣氛中以20-50°C/min的速度升溫至350-590°C，保持溫度5-30min，自然降溫至室溫后，制得的晶粒微小至微米級的CuIn_1-XGa_xSe₂吸收層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述薄膜太陽電池的制備方法，其特征在于：在制備CdS之前緩沖層，先采用直流磁控濺射法在吸收層上制備厚度10-30微米的In₂S₃薄膜作為過渡層，然后采用化學(xué)浴法在過渡層上制備CdS緩沖層；靠近緩沖層的部位得到CuIn_1-XGa_XSe_2-yS_y薄膜（其中：X＝0.2-0.4，y＝0-2）。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述薄膜太陽電池的制備方法，其特征在于：所述柔性金屬為鈦箔、或不銹鋼箔。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述薄膜太陽電池的制備方法，其特征在于：所述柔性金屬為鈦箔、或不銹鋼箔。