[發明專利]薄膜晶體管基板與顯示器有效
| 申請號: | 201210464826.4 | 申請日: | 2012-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN103824862A | 公開(公告)日: | 2014-05-28 |
| 發明(設計)人: | 蔡嘉豪;林志隆 | 申請(專利權)人: | 群康科技(深圳)有限公司;奇美電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 駱希聰 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 顯示器 | ||
技術領域
本發明有關于薄膜晶體管,且特別是有關于薄膜晶體管基板以及顯示器。
背景技術
隨著顯示科技的日益進步,人們借著顯示器的輔助可使生活更加便利,為求顯示器輕、薄的特性,促使平面顯示器(flat?panel?display,FPD)成為目前的主流。在諸多平面顯示器中,液晶顯示器(liquid?crystal?display,LCD)具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及低電磁干擾等優越特性,因此,液晶顯示器深受消費者歡迎。
液晶顯示器主要是由薄膜晶體管基板、彩色濾光基板與位于兩基板之間的液晶層所構成。薄膜晶體管基板具有多個薄膜晶體管分別位于多個像素中。
目前液晶顯示器是朝向提高解析度的方向發展,然而,受限于目前光刻技術的解析度極限,薄膜晶體管中的源極與漏極之間的距離無法縮小,因此,薄膜晶體管的尺寸無法縮小,以致于當提高解析度(亦即,縮小各像素的尺寸)時,像素的開口率會大幅下降。因此,如何縮小薄膜晶體管的尺寸是當前相當重要的課題。
發明內容
本發明一實施例提供一種薄膜晶體管基板,包括:一基板;一柵極,位于基板上;一柵絕緣層,位于基板上且覆蓋柵極;一有源層,配置于柵絕緣層上,且位于柵極上方;一蝕刻停止層,位于有源層上;一源極,配置于蝕刻停止層上,并電性連接有源層;一第一絕緣層,配置于蝕刻停止層上并覆蓋源極;以及一透明電極,包括相連的一漏極與一像素電極,其中漏極是貫穿第一絕緣層與蝕刻停止層并直接接觸有源層,以電性連接有源層,像素電極是位于第一絕緣層上。
本發明一實施例提供一種顯示器,包括:一薄膜晶體管基板;一基板,與薄膜晶體管基板相對設置;以及一顯示介質,形成于薄膜晶體管基板與基板之間。
附圖說明
為讓本發明的上述目的、特征和優點能更明顯易懂,以下結合附圖對本發明的具體實施方式作詳細說明,其中:
圖1繪示本發明一實施例的薄膜晶體管基板的剖面圖。
圖2繪示圖1的薄膜晶體管基板的上視圖,圖1系繪示圖2的薄膜晶體管基板的沿I-I’線段的剖面圖。
圖3繪示本發明一實施例的薄膜晶體管基板的剖面圖。
圖4繪示圖3的薄膜晶體管基板的上視圖,圖3系繪示圖4的薄膜晶體管基板的沿I-I’線段的剖面圖。
圖5繪示本發明一實施例的顯示器的剖面圖。
主要元件符號說明:
100、300~薄膜晶體管基板;
110~基板;
120~柵極;
130~柵絕緣層;
140~有源層;
150~蝕刻停止層;
152、212~開口;
160、160a~源極;
170~第一絕緣層;
180~透明電極;
182~漏極;
184~像素電極;
210~平坦層;
220~共用電極;
230~第二絕緣層;
310~導電層;
500~顯示器;
510~薄膜晶體管基板;
520~基板;
530~顯示介質;
D1、D2~間距;
T、T1、T2~貫孔;
W1、W2~寬度。
具體實施方式
以下將詳細說明本發明實施例的制作與使用方式。然應注意的是,本發明提供許多可供應用的發明概念,其可以多種特定型式實施。文中所舉例討論的特定實施例僅為制造與使用本發明的特定方式,非用以限制本發明的范圍。此外,在不同實施例中可能使用重復的標號或標示。這些重復僅為了簡單清楚地敘述本發明,不代表所討論的不同實施例及/或結構之間具有任何關連性。再者,當述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時,包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。在圖式中,實施例的形狀或是厚度可能擴大,以簡化或是突顯其特征。再者,圖中未繪示或描述的元件,可為所屬技術領域中具有通常知識者所知的任意形式。
圖1繪示本發明一實施例的薄膜晶體管基板的剖面圖。圖2繪示圖1的薄膜晶體管基板的上視圖,圖1系繪示圖2的薄膜晶體管基板的沿I-I’線段的剖面圖。值得注意的是,為使圖示較為簡單易懂,圖2僅繪示源極、透明電極(包括漏極與像素電極)、有源層、以及第二絕緣層。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





