[發明專利]薄膜晶體管基板與顯示器

有效

• 申請號: 201210464826.4
• 申請日: 2012-11-16
• 公開（公告）號: CN103824862A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 蔡嘉豪;林志隆
• 申請（專利權）人: 群康科技(深圳)有限公司;奇美電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種薄膜晶體管基板，包括：

一基板；

一柵極，位于該基板上；

一柵絕緣層，位于該基板上且覆蓋該柵極；

一有源層，配置于該柵絕緣層上，且位于該柵極上方；

一蝕刻停止層，位于該有源層上；

一源極，配置于該蝕刻停止層上，并電性連接該有源層；

一第一絕緣層，配置于該蝕刻停止層上并覆蓋該源極；以及

一透明電極，包括相連的一漏極與一像素電極，其中該漏極是貫穿該第一絕緣層與該蝕刻停止層并接觸該有源層，以電性連接該有源層，該像素電極是位于該第一絕緣層上。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該漏極與該像素電極為于同一制程步驟中制得的膜層。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該源極是貫穿該蝕刻停止層而接觸該有源層。

4.如權利要求3所述的薄膜晶體管基板，還包括：

一平坦層，配置于該第一絕緣層上；

一共用電極，配置于該平坦層上；以及

一第二絕緣層，配置于該平坦層上并覆蓋該共用電極，其中該漏極系貫穿該第二絕緣層、該平坦層、該第一絕緣層與該蝕刻停止層，該像素電極系位于該第二絕緣層上。

5.如權利要求3所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該源極的接觸該有源層的部分與該漏極的接觸該有源層的部分的間距為2微米至10微米。

6.如權利要求5所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該源極的接觸該有源層的部分與該漏極的接觸該有源層的部分的間距為3微米至8微米。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該有源層的寬度為12微米至35微米。

8.如權利要求7所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該有源層的寬度為13微米至24微米。

9.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，還包括：

一導電層，配置于該第一絕緣層上，并貫穿該第一絕緣層與該蝕刻停止層，以接觸該有源層并電性連接該有源層與該源極。

10.如權利要求9所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該源極與該有源層部分重疊。

11.如權利要求9所述的薄膜晶體管基板，還包括：

一平坦層，配置于該第一絕緣層上，其中該導電層配置于該平坦層上，并貫穿該平坦層、該第一絕緣層與該蝕刻停止層；

一共用電極，配置于該平坦層上，該共用電極與該導電層為于同一制程步驟中制得的膜層；以及

一第二絕緣層，配置于該平坦層上并覆蓋該共用電極與該導電層，其中該漏極是貫穿該第二絕緣層、該平坦層、該第一絕緣層與該蝕刻停止層，該像素電極位于該第二絕緣層上。

12.如權利要求9所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該導電層的直接接觸該有源層的部分與該漏極的直接接觸該有源層的部分的間距為1.5微米至10微米。

13.如權利要求12所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該導電層的直接接觸該有源層的部分與該漏極的直接接觸該有源層的部分的間距為2.5微米至8微米。

14.如權利要求9所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該導電層的材質為透明金屬氧化物。

15.如權利要求9所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該有源層的寬度為9.5微米至30微米。

16.如權利要求15所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該有源層的寬度為11微米至24微米。

17.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該有源層的材質包括金屬氧化物半導體，該透明電極的材質包括金屬氧化物。

18.如權利要求17所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該有源層的材質為銦鎵鋅氧化物，該透明電極的材質為銦錫氧化物。

19.一種顯示器，包括：

一如權利要求1所述的薄膜晶體管基板；

一基板，與該薄膜晶體管基板相對設置；以及

一顯示介質，形成于該薄膜晶體管基板與該基板之間。

20.如權利要求19所述的顯示器，其特征在于，該顯示介質為一液晶層或一有機發光層。