[發(fā)明專利]圖像傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210464819.4 | 申請(qǐng)日: | 2012-11-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103296038B | 公開(公告)日: | 2017-12-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金相勛;文昌碌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286 | 代理人: | 韓明星 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖像傳感器 | ||
本申請(qǐng)要求于2012年2月29日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(KIPO)提交的第2012-20926號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán),該韓國(guó)專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
示例實(shí)施例涉及圖像傳感器。更具體地講,示例實(shí)施例涉及具有背面照明結(jié)構(gòu)的圖像傳感器。
背景技術(shù)
圖像傳感器可以將入射光轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。圖像傳感器可以分為電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器。近來(lái),為了提高包括在圖像傳感器中的單元像素的光效率和光敏性,可以主要使用具有光穿過(guò)半導(dǎo)體基底的背面入射并且被轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的背面照明結(jié)構(gòu)的圖像傳感器。
發(fā)明內(nèi)容
示例實(shí)施例涉及圖像傳感器。更具體地講,示例實(shí)施例涉及具有背面照明結(jié)構(gòu)的圖像傳感器。
示例實(shí)施例提供了具有簡(jiǎn)化的布線結(jié)構(gòu)的圖像傳感器。
根據(jù)示例實(shí)施例,一種圖像傳感器包括位于第一基底的第一表面上并且具有多層結(jié)構(gòu)的第一絕緣層間結(jié)構(gòu)。第一布線結(jié)構(gòu)位于第一絕緣層間結(jié)構(gòu)中。通孔接觸塞從第一基底的與所述第一表面背對(duì)的第二表面延伸,并且穿透第一基底以電連接到第一布線結(jié)構(gòu)。多個(gè)濾色器和多個(gè)微透鏡堆疊在第一基底的第一區(qū)域中的第二表面上。第二絕緣層間結(jié)構(gòu)位于第一基底的第二區(qū)域中的第二表面上。第二布線結(jié)構(gòu)位于第二絕緣層間結(jié)構(gòu)中,以電連接到通孔接觸塞。焊盤圖案電連接到第二布線結(jié)構(gòu)并且具有上表面,通過(guò)所述上表面施加外部電信號(hào)。多個(gè)光電二極管在第一基底的第一區(qū)域中并且對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)微透鏡中的每個(gè)微透鏡設(shè)置在第一布線結(jié)構(gòu)和第二布線結(jié)構(gòu)之間。
在示例實(shí)施例中,圖像傳感器還可以包括:第二基底,粘附于第一絕緣層間結(jié)構(gòu),以支撐第一絕緣層間結(jié)構(gòu)。
在示例實(shí)施例中,焊盤圖案的上表面可以具有與第二布線結(jié)構(gòu)的最上表面的高度相同的高度,或者可以具有比第二布線結(jié)構(gòu)的最上表面的高度高的高度。
在示例實(shí)施例中,焊盤圖案可以與第二布線結(jié)構(gòu)的一部分接觸。
在示例實(shí)施例中,焊盤圖案可以與通孔接觸塞的一部分接觸。
在示例實(shí)施例中,第二布線結(jié)構(gòu)可以包括多個(gè)單層的金屬布線或者多個(gè)多層的金屬布線,每層金屬布線包括接觸塞和布線。
在示例實(shí)施例中,圖像傳感器還可以包括位于第一基底的第一表面上的多個(gè)晶體管,所述多個(gè)晶體管可以電連接到第一布線結(jié)構(gòu)并且構(gòu)成多個(gè)第一外圍電路和多個(gè)圖像像素。
在示例實(shí)施例中,圖像傳感器還可以包括位于第一基底的第二區(qū)域中的第二表面上的多個(gè)附加晶體管,所述多個(gè)附加晶體管可以電連接到第二布線結(jié)構(gòu)并且可以構(gòu)成多個(gè)第二外圍電路。
在示例實(shí)施例中,第一絕緣層間結(jié)構(gòu)可以覆蓋第一基底的整個(gè)第一表面,并且可以具有多層結(jié)構(gòu)。
根據(jù)示例實(shí)施例,一種圖像傳感器包括位于第一基底的第一表面上的第一布線結(jié)構(gòu)。通孔接觸塞從第一基底的與所述第一表面背對(duì)的第二表面延伸,并且穿透第一基底以電連接到第一布線結(jié)構(gòu)。多個(gè)濾色器和多個(gè)微透鏡堆疊在第一基底的第一區(qū)域中的第二表面上。第二布線結(jié)構(gòu)位于第一基底的第二區(qū)域中的第二表面上,以電連接到通孔接觸塞。焊盤圖案電連接到第二布線結(jié)構(gòu)并且具有上表面,通過(guò)所述上表面施加外部電信號(hào)。多個(gè)光電二極管在第一基底的第一區(qū)域中位于第一布線結(jié)構(gòu)和第二布線結(jié)構(gòu)之間。
在示例實(shí)施例中,第一布線結(jié)構(gòu)可以被第一絕緣層間結(jié)構(gòu)覆蓋,第二布線結(jié)構(gòu)可以被第二絕緣層間結(jié)構(gòu)覆蓋。
在示例實(shí)施例中,第二布線結(jié)構(gòu)可以包括多個(gè)多層的金屬布線,每層金屬布線包括接觸塞和布線,焊盤圖案可以與第二布線結(jié)構(gòu)的至少一部分接觸。
在示例實(shí)施例中,第二布線結(jié)構(gòu)可以包括具有布線的單層的金屬布線,并且單層的金屬布線可以布置成與焊盤圖案共面。
在示例實(shí)施例中,單層的金屬布線的至少一部分可以與通孔接觸塞接觸。
在示例實(shí)施例中,圖像傳感器還可以包括多個(gè)晶體管,每個(gè)晶體管位于第一基底的第一表面或第二表面上。
根據(jù)示例實(shí)施例,一種圖像傳感器包括位于基底的第一表面上的第一布線結(jié)構(gòu)。通孔接觸塞延伸穿過(guò)基底,并且電連接到第一布線結(jié)構(gòu)。多個(gè)濾色器和多個(gè)微透鏡堆疊在基底上方的有源像素區(qū)域中的第二表面上。第二表面背對(duì)第一表面。第二布線結(jié)構(gòu)位于第二表面上,并且電連接到通孔接觸塞。第二布線結(jié)構(gòu)位于基底上方的除了有源像素區(qū)域之外的區(qū)域中。焊盤圖案電連接到第二布線結(jié)構(gòu)并且具有上表面,通過(guò)所述上表面施加外部電信號(hào)。多個(gè)光電二極管在有源像素區(qū)域中位于第一布線結(jié)構(gòu)和第二布線結(jié)構(gòu)之間。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





