[發明專利]用于磁頭-介質和凹凸體檢測的電阻溫度傳感器

無效

• 申請號: 201210464632.4
• 申請日: 2012-11-16
• 公開（公告）號: CN103123788A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發明（設計）人: G·J·昆克爾;H·婁;D·麥卡恩;T·W·施特伯
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11B5/48
• 分類號: G11B5/48;G01K7/16;G01K7/22;G01K7/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 錢慰民

1.一種裝置，包括：

磁頭換能器；

溫度傳感器，所述溫度傳感器坐落在所述磁頭換能器的附近或接近點處并被配置成測量所述接近點附近或所述接近點處的溫度，所測得的溫度響應于所述磁頭換能器和磁記錄介質之間間距的變化而變化；以及

檢測器，所述檢測器耦合于所述溫度傳感器并被配置成檢測指示所述磁頭換能器和介質之間的接觸的開始的測得溫度的DC分量的變化。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述溫度傳感器在磁頭-介質接觸期間產生實質上缺乏調制分量的溫度信號。

3.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述溫度傳感器在磁頭-介質接觸期間產生實質上缺乏AC分量的溫度信號。

4.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述溫度傳感器包括電阻溫度傳感器、熱電偶和熱敏電阻中的一者。

5.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，包括在磁頭-介質接觸期間實質上沒有調制的磁頭-盤界面。

6.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，包括被配置成致動所述磁頭換能器以使所述溫度傳感器朝所述介質移動的致動器。

7.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，包括磁頭-盤界面，其中：

所述溫度傳感器被配置成將所述磁頭-盤界面加熱至高于所述介質溫度的溫度；以及

所述檢測器被配置成檢測DC分量的變化，所述DC分量的變化指示響應于所述磁頭換能器和所述介質之間的接觸的開始從受熱的磁頭-盤界面至所述介質的增加的熱傳遞速率。

8.如權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述檢測器被配置成檢測所述DC分量的軌跡的漂移。

9.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，包括：

磁頭-盤界面；以及

熱致動器，所述熱致動器被配置成致動所述磁頭換能器以使所述溫度傳感器朝所述介質移動，其中：

所述溫度傳感器和所述熱致動器中的一者或兩者被配置成將所述磁頭-盤界面加熱至高于所述介質溫度的溫度；以及

所述檢測器被配置成檢測DC分量變化，所述DC分量變化指示響應于所述磁頭換能器和所述介質之間的接觸的開始從受熱的磁頭-盤界面至所述介質的增加的熱傳遞速率。

10.一種方法，包括：

使磁記錄介質相對于磁頭換能器移動；

測量所述磁頭-盤界面處的溫度，所測得的溫度響應于所述磁頭換能器和所述介質之間間距的變化而變化；以及

檢測指示所述磁頭換能器和所述介質之間的接觸的開始的測得溫度的DC分量的變化。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，還包括：

將所述磁頭-盤界面加熱至高于所述介質溫度的溫度；以及

檢測DC分量的變化，所述DC分量的變化指示響應于所述磁頭換能器和所述介質之間的接觸的開始從受熱的磁頭-盤界面至所述介質的增加的熱傳遞速率。

12.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述磁頭-盤界面在磁頭-介質接觸期間實質上沒有調制。

13.如權利要求10所述的方法，其特征在于，還包括致動所述磁頭換能器以使所述磁頭換能器朝所述介質移動。

14.一種裝置，包括：

磁頭換能器；以及

坐落在所述磁頭換能器上的傳感器，用以與所述磁記錄介質的凹凸體相互作用，所述傳感器包括：

感測元件，所述感測元件具有高的電阻溫度系數；以及

導電引體，所述導電引體連接于所述感測元件，所述引體相對于所述感測元件具有低的電阻溫度系數以使所述引體中的熱致電阻變化對于所述感測元件對凹凸體的響應具有可忽略的影響。

15.如權利要求14所述的裝置，其特征在于，所述感測元件對凹凸體的響應不被所述引體中的溫度誘導電阻變化所混淆。

16.如權利要求14所述的裝置，其特征在于，所述引體由具有近零的電阻溫度系數的材料構成。

17.如權利要求14所述的裝置，其特征在于，所述引體包括NiCu合金薄膜。

18.如權利要求14所述的裝置，其特征在于，所述引體包括具有約100nm厚度的NiCu50%的合金薄膜。