[發明專利]一種光催化合成2,5-二甲基-2,5-己二醇的方法

無效

• 申請號: 201210464315.2
• 申請日: 2012-11-19
• 公開（公告）號: CN102964211A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 盧海強;張樂喜;趙斌彬;呂亞蘭;張迪
• 申請（專利權）人: 太原科技大學
• 主分類號: C07C31/20
• 分類號: C07C31/20;C07C29/34
• 代理公司: 太原華弈知識產權代理事務所 14108
• 代理人: 李毅

1.一種光催化合成2,5-二甲基-2,5-己二醇的方法，是將擔載有貴金屬單質助催化劑的納米半導體材料加入叔丁醇體積含量10～99.9%的叔丁醇-水體系中，紫外光或可見光照射下，強烈攪拌使光催化劑處于懸浮狀態，于0～90℃反應10～720h，將叔丁醇光催化氧化合成2,5-二甲基-2,5-己二醇。

2.一種光催化合成2,5-二甲基-2,5-己二醇的方法，是在叔丁醇體積含量10～99.9%的叔丁醇水反應液中加入納米半導體材料和貴金屬源溶液，采用原位光催化還原或者熱化學法還原，還原出貴金屬單質負載到納米半導體材料表面，得到擔載貴金屬單質助催化劑的納米半導體材料光催化劑，紫外光或可見光照射下，強烈攪拌使光催化劑處于懸浮狀態，于0～90℃反應10～720h，將叔丁醇光催化氧化合成2,5-二甲基-2,5-己二醇。

3.根據權利要求1或2所述的光催化合成2,5-二甲基-2,5-己二醇的方法，其特征是所述納米半導體材料的用量為每300～1000mL叔丁醇水反應液中加入1g納米半導體材料，貴金屬單質在納米半導體材料上的擔載量為0.1～5wt%。

4.根據權利要求1或2所述的光催化合成2,5-二甲基-2,5-己二醇的方法，其特征是所述納米半導體材料包括含氧類納米半導體、含硫類納米半導體或含氮類納米半導體。

5.根據權利要求4所述的光催化合成2,5-二甲基-2,5-己二醇的方法，其特征是所述含氧類納米半導體為Ti、Zr、Fe、Zn、Sr、La、W、V、Cu、Ce、In、Ta或Nb的含氧化合物。

6.根據權利要求4所述的光催化合成2,5-二甲基-2,5-己二醇的方法，其特征是所述含硫類納米半導體為Cd、Zn、W或Bi的含硫化合物。

7.根據權利要求4所述的光催化合成2,5-二甲基-2,5-己二醇的方法，其特征是所述含氮類納米半導體為Ti、Ga、Ge或Ta的含氮化合物。

8.根據權利要求1或2所述的光催化合成2,5-二甲基-2,5-己二醇的方法，其特征是所述納米半導體材料包括納米顆粒、納米管、納米中空球或納米棒。

9.根據權利要求2所述的光催化合成2,5-二甲基-2,5-己二醇的方法，其特征是所述貴金屬源溶液為氯鉑酸、氯金酸、氯化鈀、氯化釕、氯化銠或硝酸銀的溶液。