[發明專利]形成垂直互連結構的方法和半導體器件

有效

• 申請號: 201210462755.4
• 申請日: 2012-11-16
• 公開（公告）號: CN103165477B
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發明（設計）人: 林耀劍;陳康
• 申請（專利權）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/60;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/538
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 馬永利

1.一種制作半導體器件的方法，包括：

提供半導體管芯；

在半導體管芯周圍形成密封劑；

在密封劑上形成絕緣層；

在所述半導體管芯外部在密封劑的第一表面上穿過所述絕緣層形成包括多個導電微通孔的導電微通孔陣列；以及

從與密封劑的第一表面相對的密封劑的第二表面并且在所述半導體管芯外部形成開口，其中所述開口延伸穿過密封劑到導電微通孔陣列的多個導電微通孔。

2.權利要求1的制作半導體器件的方法，其中所述開口包括臺階穿孔結構。

3.權利要求1的制作半導體器件的方法，還包括在所述開口內形成導電互連結構。

4.權利要求1的制作半導體器件的方法，其中形成導電微通孔陣列包括：

在半導體管芯的覆蓋區外部形成穿過絕緣層的微通孔陣列；以及

在絕緣層上形成導電層，該導電層延伸到微通孔中。

5.權利要求1的制作半導體器件的方法，還包括在導電微通孔陣列周圍形成導電環。

6.一種制作半導體器件的方法，包括：

提供半導體管芯；

在半導體管芯周圍形成密封劑；

在所述密封劑的第一表面上形成包括多個導電微通孔的導電微通孔陣列；以及

從與密封劑的第一表面相對的密封劑的第二表面形成開口，其中所述開口延伸穿過密封劑到導電微通孔陣列的多個導電微通孔。

7.權利要求6的制作半導體器件的方法，其中所述開口包括臺階穿孔結構。

8.權利要求6的制作半導體器件的方法，還包括在所述開口中形成導電互連結構。

9.權利要求7的制作半導體器件的方法，其中形成臺階穿孔結構包括：

形成部分地穿過密封劑的第二表面的第一穿模孔（TMH）；以及

在第一TMH的覆蓋區內形成穿過密封劑的第二TMH，該第二TMH包括比第一TMH的截面寬度小的截面寬度。

10.權利要求6的制作半導體器件的方法，還包括在半導體管芯上形成堆積互連結構。

11.一種半導體器件，包括：

半導體管芯；

在半導體管芯周圍形成的密封劑；以及

導電微通孔陣列，包括多個導電微通孔，所述多個導電微通孔利用穿過密封劑形成的并且延伸到導電微通孔陣列的多個導電微通孔的開口而形成在半導體管芯的覆蓋區外部的密封劑上。

12.權利要求11的半導體器件，其中所述開口包括：

部分地穿過密封劑形成的第一穿模孔（TMH）；以及

在第一TMH的覆蓋區內穿過密封劑形成的第二TMH，該第二TMH包括比第一TMH的截面寬度小的截面寬度。

13.權利要求11的半導體器件，還包括：在導電微通孔陣列周圍形成的導電環。

14.權利要求11的半導體器件，還包括在半導體管芯上形成的背部保護層。

15.權利要求11的半導體器件，還包括在密封劑上形成的絕緣層，其中所述微通孔陣列形成為穿過所述絕緣層。