[發明專利]光強檢測電路和方法

無效

• 申請號: 201210457913.7
• 申請日: 2012-11-15
• 公開（公告）號: CN102937479A
• 公開（公告）日: 2013-02-20
• 發明（設計）人: 曹靖;白蓉蓉;孫慶余;王文靜
• 申請（專利權）人: 北京昆騰微電子有限公司
• 主分類號: G01J1/44
• 分類號: G01J1/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及微電子領域，尤其涉及一種光強檢測電路和方法。

背景技術

光強檢測電路是一種檢測發光強度信息的電路。如圖1所示，為現有技術中一種光強檢測電路的電路結構示意圖，該光強檢測電路包括一個開關三極管M、一個光電二極管D、一個電容C和一個電壓檢測電路11，該電路的工作原理如下：開關控制信號輸入開關三極管M的控制端，當開關三極管M閉合時，外部電源Vdd迅速對電容C充電，電壓檢測電路11檢測到電容C的電壓迅速提升至Vdd，然后開關三極管M在開關控制信號的控制下斷開，由于光電二極管D在光照的激勵下產生漏電流，而且光照越強烈，漏電流越大，電容C通過該漏電流緩慢放電，電壓檢測電路11檢測到電容C的電壓緩慢降低，直至開關三極管M再次閉合，此時，電壓檢測電路11檢測到電容C的電壓降至電壓V，電容C又開始充電，如此循環反復。通過電壓檢測電路11檢測電壓V的大小，可以得到光照的光強信息。

上述電路存在這樣一個問題：在高溫情況下，即使在沒有光照的情況下，光電二極管D的漏電流也會很大，與有光照情況下光電二極管D的漏電流大小差不多，從而導致該光強檢測電路發生誤判。

發明內容

本發明提供一種光強檢測電路和方法，用以實現在高溫情況下，準確地檢測光強信息。

本發明提供一種光強檢測電路，包括：

感光模塊，一端連接參考電壓端，用于在光照的激勵下產生流經所述感光模塊的電流，所述感光模塊包括兩個以上并聯連接的光電轉換組件，所述光電轉換組件產生的電流的方向不完全相同；

電壓檢測模塊，與所述感光模塊的另一端連接，用于檢測所述感光模塊兩端的電壓，所述電壓與所述光照的光強信息存在映射關系；

光強信息獲取模塊，用于根據所述電壓，獲取所述光照的光強信息；

其中，所述感光模塊、所述電壓檢測模塊和所述光強信息獲取模塊集成在單個的集成電路中。

本發明還提供一種光強檢測方法，包括：

通過感光模塊，在光照的激勵下產生流經所述感光模塊的電流，其中，所述感光模塊的一端連接參考電壓端，所述感光模塊包括兩個以上并聯連接的光電轉換組件，所述光電轉換組件產生的電流的方向不完全相同；

檢測所述感光模塊兩端的電壓，所述電壓與所述光照的光強信息存在映射關系；

根據所述電壓，獲取所述光照的光強信息；

上述所有步驟在單個的集成電路中完成。

在本發明中，感光模塊在光照的激勵下產生流經感光模塊的電流，電壓檢測模塊檢測感光模塊兩端的電壓，電壓的值與光照的光強存在映射關系，因此光強信息獲取模塊根據電壓獲取光照的光強信息，由于感光模塊中的光電轉換組件產生的電流的方向不完全相同，在高溫并且無光照條件下，即使各個光電轉換組件本身產生的電流很大，但是由于各個光電轉換組件產生的電流的方向不同，不同方向的電流可以相互抵消掉一部分，從而可以抵消掉溫度對電流的影響，使得感光模塊整體的電流受溫度的影響較小，因此本實施例的光強檢測電路在高溫情況下，仍然可以準確地檢測光強信息。

附圖說明

圖1為現有技術中一種光強檢測電路的電路結構示意圖；

圖2為本發明光強檢測電路第一實施例的結構示意圖；

圖3為本發明光強檢測電路第二實施例的結構示意圖；

圖4為本發明光強檢測電路第二實施例中感光模塊在有光照條件下的等效電路示意圖；

圖5為發明光強檢測電路第三實施例的結構示意圖；

圖6為本發明光強檢測方法第一實施例的流程示意圖；

圖7為本發明光強檢測方法第二實施例的流程示意圖；

圖8為本發明強檢測方法第三實施例的流程示意圖。

具體實施方式

下面結合說明書附圖和具體實施方式對本發明作進一步的描述。

如圖2所示，為本發明光強檢測電路第一實施例的結構示意圖，該光強檢測電路可以包括感光模塊21、電壓檢測模塊22和光強信息獲取模塊23，其中，感光模塊21的一端連接參考電壓端，另一端與電壓檢測模塊22連接，光強信息獲取模塊23與電壓檢測模塊22連接。感光模塊21包括兩個以上并聯連接的光電轉換組件211~21n，其中，n為大于或等于2的自然數。感光模塊21、電壓檢測模塊22和光強信息獲取模塊23集成在單個的集成電路中，該集成電路可以被構造為采用互補金屬氧化物半導體（CMOS）工藝、BiCMOS工藝或任何其他想要采用的工藝或工藝的組合來制造。