[發明專利]銪摻雜二氧化鋯發光薄膜、制備方法及其應用

無效

• 申請號: 201210456899.9
• 申請日: 2012-11-14
• 公開（公告）號: CN103805182A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;黃輝
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/67
• 分類號: C09K11/67;H01L33/50
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種銪摻雜二氧化鋯發光薄膜，其特征在于，其化學式為ZrO₂:xEu³⁺，其中ZrO₂是基質，銪元素是激活元素，0.01≤x≤0.08。

2.根據權利要求1所述的銪摻雜二氧化鋯發光薄膜，其特征在于，所述銪摻雜二氧化鋯發光薄膜的厚度為80nm～300nm。

3.一種銪摻雜二氧化鋯發光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將襯底裝入化學氣相沉積設備的反應室中，并將反應室的真空度設置為1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa；

調節襯底的溫度為250℃～650℃，轉速為50轉/分鐘～1000轉/分鐘，采用氬氣氣流的載體，根據ZrO₂:xEu³⁺各元素的化學計量比將四(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)鋯和三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)銪通入反應室內；及

通入氧氣，進行化學氣相沉積得到化學式為ZrO₂:xEu³⁺的銪摻雜二氧化鋯發光薄膜，其中，ZrO₂是基質，銪元素是激活元素，0.01≤x≤0.08。

4.根據權利要求3所述的銪摻雜二氧化鋯發光薄膜的制備方法，其特征在于，所述四(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)鋯和三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)銪摩爾比為(0.92～0.99)∶(0.01～0.08)。

5.根據權利要求3所述的銪摻雜二氧化鋯發光薄膜的制備方法，其特征在于，所述氬氣氣流量為5～15sccm，所述氧氣氣流量為10～200sccm。

6.根據權利要求3所述的銪摻雜二氧化鋯發光薄膜的制備方法，其特征在于，將所述襯底裝入所述反應室后將所述襯底在600℃～800℃下熱處理10分鐘～30分鐘。

7.一種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，其特征在于，所述發光層的材料為銪摻雜二氧化鋯發光薄膜，該銪摻雜二氧化鋯發光薄膜的化學式為ZrO₂:xEu³⁺，其中ZrO₂是基質，銪元素是激活元素，0.01≤x≤0.08。

8.根據權利要求7所述的薄膜電致發光器件，其特征在于，所述發光層的厚度為80nm～300nm。

9.一種薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供具有陽極的襯底；

在所述陽極上形成發光層，所述發光層的薄膜為銪摻雜二氧化鋯發光薄膜，該銪摻雜二氧化鋯發光薄膜的化學式為ZrO₂:xEu³⁺，其中ZrO₂是基質，銪元素是激活元素，0.01≤x≤0.08；

在所述發光層上形成陰極。

10.根據權利要求9所述的薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述發光層的制備包括以下步驟：

將所述襯底裝入化學氣相沉積設備的反應室，并將反應室的真空度設置為1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa；

調節襯底的溫度為250℃～650℃，轉速為50轉/分鐘～1000轉/分鐘，采用氬氣氣流作為載體，根據ZrO₂:xEu³⁺各元素的化學計量比將四(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)鋯和三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)銪通入反應室內，其中，氬氣氣流量為5～15sccm，

然后通入氧氣，氧氣氣流量為10～200sccm；沉積薄膜在所述陽極上形成發光層。