[發明專利]電壓調整電路

有效

• 申請號: 201210452074.X
• 申請日: 2012-11-13
• 公開（公告）號: CN103809637A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 唐成偉
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種電壓調整電路，其特征在于，包括：

一運算放大器，所述運算放大器的一個輸入端接參考電壓，另一個輸入端接反饋電壓，所述運算放大器的工作電源為外部電壓；

一第一NMOS驅動管，所述第一NMOS驅動管的源極作為電壓調整電路的輸出端，所述第一NMOS驅動管的漏極連接外部電壓；所述第一NMOS驅動管的柵極連接所述運算放大器的輸出端；

在所述第一NMOS驅動管的源極和地之間串聯第一電阻和第二電阻，所述第一電阻和所述第二電阻的連接端提供所述反饋電壓到所述運算放大器的另一個輸入端；

一第二MOS晶體管，所述第二MOS晶體管的柵極連接所述運算放大器的輸出端，所述第二MOS晶體管的源漏極連接在一起并組成一電容結構；

一個以上的第三MOS晶體管，所述第三MOS晶體管的源極和柵極連接在一起組成二極管結構，各所述第三MOS晶體管串接于所述第二MOS晶體管的源漏極和地之間；

一電流源，該電流源連接到所述第二MOS晶體管的源漏極并為串接起來的各所述第三MOS晶體管提供電流。

2.如權利要求1所述的電壓調整電路，其特征在于：所述電壓調整電路的輸出電壓為3.3V以上的高壓，所述第二MOS晶體管為耐壓小于2V的低壓器件，串接起來的各所述第三MOS晶體管為所述第二MOS晶體管的源漏電極提供一固定電壓，該固定電壓保證在所述電壓調整電路的輸出電壓為3.3V以上的高壓時，所述第二MOS晶體管柵極和源漏極之間的電壓小于2V。

3.如權利要求1或2所述的電壓調整電路，其特征在于：所述第二MOS晶體管為一NMOS晶體管；或者，所述第二MOS晶體管為一PMOS晶體管。

4.如權利要求1或2所述的電壓調整電路，其特征在于：各所述第三MOS晶體管為NMOS晶體管；或者，各所述第三MOS晶體管為PMOS晶體管。