[發明專利]自動晶元轉換機有效
| 申請號: | 201210451420.2 | 申請日: | 2012-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN102915941A | 公開(公告)日: | 2013-02-06 |
| 發明(設計)人: | 盧冬青 | 申請(專利權)人: | 上海功源電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 201100 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 自動 轉換 | ||
技術領域
?本發明涉及IC生產流程中一種單晶硅晶元片進行工藝處理過程中的晶元盛載治具轉換的工藝,尤其涉及晶元片不規則時的安全轉換。
背景技術
[0002]?制造一塊IC芯片通常需要400到500道工序。總體概括起來說,一般分為兩大部分:前道工序(front-end?production):晶元加工
??后道工序(back-end?production):芯片封裝
前道工序分為:晶元加工(Wafer?manufacturing)和晶元處理(Wafer?processing)
晶元加工過程為:
1.????????????長(讀zhang)晶:是從硅沙中(二氧化硅)提煉成單晶硅;
2.????????????切片:是將長晶形成的單晶硅圓柱通過高強度鋸片或線鋸切成片狀的晶元;
3.????????????研磨拋光:是機械和化學加工同時作用使晶元表面平整并去除表面殘留的金屬碎屑或有機雜質,再以去離子純水沖洗吹干;
4.????????????洗凈:除去芯片表面的所有污染物質,使芯片達到可進行芯片加工的狀態。
晶元處理過程為:
1.????????????磊晶:是基板以外依組件制程需要沉積的薄膜材料;
2.????????????微影:是使用感光材料再經過化學試劑的處理將主要圖案成像在晶元上;
3.????????????氧化:是半導體制作的基本熱制程,以保護芯片免受化學作用和作為介電層;
4.????????????擴散:是藉由外來的雜質使原本單純的半導體材料的鍵結型態和能隙產生變化,進而改變它的導電性;
5.????????????蝕刻:分為濕式蝕刻和干式蝕刻,兩種方式的主要作用是為了移除表面原子。
6.????????????金屬聯接:是藉由在硅晶塊上形成薄金屬膜圖案而組成半導體組件間的電性的聯接。
晶元表面的處理影響到整個芯片的品質,在形成金屬聯接后再通過蝕刻去除不需存留的金屬,在這個過程中:
1.需要將晶元從形成圖案時盛載的治具-料盒,?轉換至耐腐蝕的玻璃治具中-晶舟。
2.需要將兩個料盒的料合并到一個晶舟中,?以提供生產效率。?
3.需要注意:因為晶元本身易碎,再經過氧化、熱處理等工藝之后使得本身更加易碎,并且晶元片有了一定的彎曲度,
4.那么在進行晶元轉換的時候為了保證晶元片表面的清潔和轉換的成功率,在此過程中需要靈敏的感應設備和無塵的工作環境。
然而,傳統的解決方法是通過人工進行操作,但在這個過程中人工的操作難免會有灰塵、汗漬或者污漬等污染晶元片,或者是操作的不當使得晶元片碎裂。
發明內容
本發明需要解決的技術問題是提供了一種自動晶元轉換設備,旨在解決上述的問題。
為了解決上述技術問題,本發明是通過以下技術方案實現的:
本發明包括:
物料臺;其特征在于包括:X軸向氣缸,Y軸向氣缸,鎖定氣缸及推手氣缸;所述的X軸向氣缸能帶動料盒X向移動;所述的Y軸向氣缸能帶動料盒Y向移動安裝在X軸向動作板上;所述的鎖定氣缸能在A、B兩料盒安放在特定位置后可以將兩料盒鎖緊以固定兩料盒,安裝在Y軸向動作板上;所述的推手氣缸能在X軸向上動作,安裝在Y軸向動作板上。
翻轉臺:其特征在于包括:翻轉機構、晶舟鎖定機構及導片手機構;所述的翻轉機構是一電機通過同步帶帶動晶舟安放面進行90度翻轉;所述的晶舟鎖定機構是在晶舟安放于特定位置后通過該機構將晶舟固定,安裝在翻轉面上;
所述的導片手機構是在推料過程中保證晶元片導入相對應的晶舟位置內,垂直安裝在翻轉面下方。以上所述的X軸向氣缸、Y軸向氣缸、鎖定氣缸、翻轉機構、晶舟鎖定機構和導片手機構分別與一PLC相連。
完全避免人工直接接觸晶元片,以滿足安全保護要求。
附圖說明
圖1是本發明的結構示意圖。
下面結合附圖與具體實施方式對本發明作進一步詳細描述
由圖1可見:本發明包括:機架組件1、大底板組件2、X/Y向平臺3、晶元盒組件4、推手組件5、主動側組件6、從動側組件7、翻轉組件8、導片手9、晶舟夾緊10、晶舟座組件11、觸摸屏組件12、組成。
采用本發明的操作過程:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海功源電子科技有限公司,未經上海功源電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210451420.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





