[發明專利]發光二極管制造方法無效
| 申請號： | 201210449786.6 | 申請日： | 2012-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN103811592A | 公開（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發明（設計）人： | 邱鏡學;林雅雯;凃博閔;黃世晟 | 申請（專利權）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 制造 方法 | ||
1.一種發光二極管的制造方法，包括以下的步驟：
提供一個藍寶石基板，藍寶石基板的表面形成有多個凸出部；
在藍寶石基板的表面成長一個未摻雜GaN層，所述未摻雜GaN層不完全覆蓋所述凸出部以露出凸出部的部分區域；
蝕刻位于凸出部的頂部區域的未摻雜GaN層直至暴露出凸出部的頂部區域；
在凸出部的頂部區域以及未摻雜GaN層上依次成長N型GaN層、活性層以及P型GaN層。
2.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，所述蝕刻未摻雜GaN層的過程以干蝕刻或者濕蝕刻的方法進行。
3.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，所述活性層為多量子阱層。
4.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，所述凸出部的截面為半圓形狀、三角形形狀，梯形形狀或其他多邊形形狀。
5.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，在成長N型GaN層、活性層以及P型GaN層之前，先在凸出部的頂部區域以及未摻雜GaN層繼續生長未摻雜GaN層直至所述未摻雜GaN層覆蓋凸出部的頂部區域。
6.一種發光二極管的制造方法，包括以下的步驟：
提供一個藍寶石基板，藍寶石基板的表面形成有多個凸出部；
在藍寶石基板的表面成長一個未摻雜GaN層直至未摻雜GaN層完全覆蓋凸出部的頂部區域；
蝕刻未摻雜GaN層直至暴露出凸出部的頂部區域；
在凸出部的頂部區域以及未摻雜GaN層上依次成長N型GaN層、活性層以及P型GaN層。
7.如權利要求6所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，所述蝕刻未摻雜GaN層的過程以干蝕刻或者濕蝕刻的方法進行。
8.如權利要求6所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，所述活性層為多量子阱層。
9.如權利要求6所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，所述凸出部的截面為半圓形狀、三角形形狀，梯形形狀或其他多邊形形狀。
10.如權利要求6所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，在成長N型GaN層、活性層以及P型GaN層之前，先在凸出部的頂部區域以及未摻雜GaN層繼續生長未摻雜GaN層直至所述未摻雜GaN層覆蓋凸出部的頂部區域。
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