[發明專利]發光二極管制造方法無效
| 申請號： | 201210449786.6 | 申請日： | 2012-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN103811592A | 公開（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發明（設計）人： | 邱鏡學;林雅雯;凃博閔;黃世晟 | 申請（專利權）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種發光二極管的制造方法，尤其涉及一種可有效降低晶體缺陷的發光二極管制造方法。
背景技術
發光二極管(Light?Emitting?Diode，LED)是一種可將電流轉換成特定波長范圍的光電半導體元件。發光二極管以其亮度高、工作電壓低、功耗小、易與集成電路匹配、驅動簡單、壽命長等優點，從而可作為光源而廣泛應用于照明領域。
在LED的磊晶生長過程中，如何降低LED晶粒的晶體缺陷是人們需要考慮的問題。一種制備低缺陷的LED晶粒的方法是采用圖案化的藍寶石基板。即，在藍寶石基板上形成多個凸出部，所述多個凸出部可使到后續磊晶過程中半導體層形成側向生長，從而降低LED晶粒的晶體缺陷。然而，在上述過程中，缺陷容易集中在凸出部頂部的磊晶層中，從而對后續的磊晶層的成長造成影響。
發明內容
有鑒于此，有必要提供一種可有效降低晶體缺陷的發光二極管的制造方法。
一種發光二極管的制造方法，包括以下的步驟：
提供一個藍寶石基板，藍寶石基板的表面形成有多個凸出部；
在藍寶石基板的表面成長一個未摻雜GaN層，所述未摻雜GaN層不完全覆蓋所述凸出部以露出凸出部的部分區域；
蝕刻位于凸出部的頂部區域的未摻雜GaN層直至暴露出凸出部的頂部區域；
在凸出部的頂部區域以及未摻雜GaN層上依次成長N型GaN層、活性層以及P型GaN層。
一種發光二極管的制造方法，包括以下的步驟：
提供一個藍寶石基板，藍寶石基板的表面形成有多個凸出部；
在藍寶石基板的表面成長一個未摻雜GaN層直至未摻雜GaN層完全覆蓋凸出部的頂部區域；
蝕刻未摻雜GaN層直至暴露出凸出部的頂部區域；
在凸出部的頂部區域以及未摻雜GaN層上依次成長N型GaN層、活性層以及P型GaN層。
在上述發光二極管的制造方法中，通過蝕刻將位于凸出部頂部區域的未摻雜GaN層。此時，由于缺陷集中的部分被去除，在后續生長N型GaN層、活性層以及P型GaN層時，所述缺陷將不會影響其生長過程，從而降低后續半導體層生長過程中的缺陷。
附圖說明
圖1是本發明實施例所提供的發光二極管的制造方法的第一個步驟。
圖2是本發明實施例所提供的發光二極管的制造方法的第二個步驟。
圖3是本發明實施例所提供的發光二極管的制造方法的第三個步驟。
圖4是本發明實施例所提供的發光二極管的制造方法的第四個步驟。
圖5是本發明實施例所提供的發光二極管的制造方法的第五個步驟。
主要元件符號說明
如下具體實施方式將結合上述附圖進一步說明本發明。
具體實施方式
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