[發明專利]局部載流子壽命減少

有效

• 申請號: 201210448360.9
• 申請日: 2012-11-09
• 公開（公告）號: CN103137618A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 亞歷克斯·卡爾尼茨基;姚智文;蔡軍;柳瑞興;段孝勤
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/06;H01L21/82
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導體結構，包括：

襯底；

第一功率器件和第二功率器件，都位于所述襯底中；

至少一個隔離部件，位于所述第一功率器件和所述第二功率器件之間；以及

俘獲部件，位于所述襯底中，所述俘獲部件鄰接所述至少一個隔離部件。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述俘獲部件包含鍺、碳、或惰性氣體中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述至少一個隔離部件是兩個深溝槽隔離(DTI)部件。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述俘獲部件鄰接所述至少一個隔離部件的底部。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述俘獲部件設置在所述襯底的一部分和所述至少一個隔離部件之間；

在所述第一功率器件和所述至少一個隔離部件之間；或

設置在所述第二功率器件和所述至少一個隔離部件之間。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一功率器件和所述第二功率器件是不同的功率器件。

7.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述俘獲部件是硅鍺。

8.一種形成半導體結構的方法，該方法包括：

提供硅襯底；

在所述襯底內蝕刻溝槽；

在所述襯底中鄰接所述溝槽形成俘獲部件；

用隔離材料填充所述溝槽；以及

在鄰近所述溝槽的所述硅襯底中形成功率器件；其中，在兩個鄰近溝槽的相對側上形成至少兩個功率器件。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，在所述襯底中鄰接所述溝槽形成俘獲部件包括：

采用大于約1E14/cm²的注入劑量，將鍺、碳、或惰性氣體中的至少一種注入所述溝槽的底部。

10.一種半導體結構，包括：

襯底；

第一功率器件和第二功率器件，位于所述襯底的上面，所述第一功率器件和所述第二功率器件具有高電壓阱(HVW)區域，所述HVW區域具有n-型導電性；

拾取區域，位于所述第一功率器件和所述第二功率器件之間；

第一隔離部件，位于所述第一功率器件和所述拾取區域之間；

第一俘獲部件，鄰接所述第一隔離部件；

第二隔離部件，位于所述第二功率器件和所述拾取區域之間；以及

第二俘獲部件，鄰接所述第二隔離部件；

其中，與所述第一功率器件和所述第二功率器件相比，所述第一俘獲部件和所述第二俘獲部件更深得延伸到襯底中。