[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210447572.5
• 申請日: 2012-11-09
• 公開（公告）號: CN103426897A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 樸鮮;李律圭;曹圭湜;宋智勛
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 嚴芬;羅正云

相關(guān)專利申請的交叉引用

本申請要求2012年5月18日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2012-0053162的優(yōu)先權(quán)，該專利申請的公開內(nèi)容通過引用整體合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及一種有機發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。

背景技術(shù)

有機發(fā)光顯示設(shè)備可包括薄膜晶體管和有機發(fā)光器件。當從薄膜晶體管向有機發(fā)光器件傳輸適當?shù)尿?qū)動信號時，有機發(fā)光器件發(fā)光，由此使期望的圖像具體化。

發(fā)明內(nèi)容

實施例可通過提供一種有機發(fā)光顯示設(shè)備來實現(xiàn)，該有機發(fā)光顯示設(shè)備包括：薄膜晶體管，包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極；有機發(fā)光器件，包括連接至所述薄膜晶體管的像素電極、包括發(fā)射層的中間層以及對電極；以及對電極接觸部分，包括聯(lián)接區(qū)和絕緣區(qū)，在所述聯(lián)接區(qū)中所述對電極和電源互連線彼此接觸，并且在所述絕緣區(qū)中，絕緣層介于所述對電極和所述電源互連線之間。在所述絕緣區(qū)中，所述絕緣層的一部分穿到所述電源互連線內(nèi)。

所述電源互連線可包括：形成在與所述柵電極相同平面上的第一互連層，以及位于所述第一互連層上方的、形成在與所述源電極和所述漏電極相同平面上第二互連層。在所述電源互連線中可形成多個穿孔，并且所述絕緣層的一部分可填入到所述多個穿孔內(nèi)。

所述多個穿孔可從所述第二互連層穿到所述第一互連層。所述有機發(fā)光顯示設(shè)備可進一步包括用于限定所述有機發(fā)光器件的像素區(qū)的像素限定層。所述絕緣層可形成在與所述像素限定層相同平面上。

實施例還可通過提供一種制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法來實現(xiàn)，該方法包括：在基板上的對電極接觸部分中形成電源互連線，在所述電源互連線中形成有穿孔；在所述電源互連線上方形成絕緣層，所述絕緣層的一部分填入到所述穿孔內(nèi)；以及在所述絕緣層上方形成對電極，以通過所述電源互連線上的聯(lián)接區(qū)接觸所述電源互連線，所述絕緣層不存在所述聯(lián)接區(qū)中。

所述方法可進一步包括形成薄膜晶體管的有源層、柵電極以及源電極和漏電極。形成所述電源互連線包括：通過利用相同材料在與所述柵電極相同的平面上形成第一互連層；以及通過利用相同的材料在與所述源電極和所述漏電極相同的平面上形成第二互連層。

在所述電源互連線中可形成多個穿孔。所述多個穿孔可被形成為從所述第二互連層穿到所述第一互連層。所述方法可進一步包括形成用于限定所述有機發(fā)光器件的像素區(qū)的像素限定層，其中所述絕緣層形成在與所述像素限定層相同平面上。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施例，特征將變得明顯，在附圖中：

圖1是根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的截面圖；

圖2A至圖2F是圖示根據(jù)示例性實施例的用于制造圖1的有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法中的各階段的截面圖；以及

圖3是示意性圖示圖1的有機發(fā)光顯示設(shè)備中的對電極接觸部分的穿孔排列結(jié)構(gòu)的平面圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將在下文中參照附圖更為充分地描述示例實施例，然而，這些示例實施例可以以不同的形式被體現(xiàn)，并且不應(yīng)被解釋為限于在本文中闡述的實施例。相反地，提供這些實施例，使得本公開詳盡和完全，并且將充分地向本領(lǐng)域技術(shù)人員傳達示例性實施。

諸如“…中的至少一個”的表述在位于一列元素之后時修飾整列元素，而不修飾該列中的單個元素。

圖中相同的附圖標記指代相同的元件。以下在描述示例性實施例時，如果關(guān)于已知的相關(guān)功能或結(jié)構(gòu)的詳細描述可能致使主題不清楚，則將省略該詳細描述。

在圖示示例性實施例的附圖中，為便于說明和清楚起見，可放大圖中所示的每一層的厚度或大小。此外，在本說明書中，當諸如層、膜、區(qū)域、板等之類的組元位于另一組元“之上”時，該組元應(yīng)被解釋為不僅可“直接”位于另一組元“之上”，而且可通過至少一個其它的組元而位于另一組元的上方。

圖1是根據(jù)示例性實施例的反向（back）發(fā)射型有機發(fā)光顯示設(shè)備的截面圖。

參照圖1，根據(jù)本實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備包括薄膜晶體管TFT、有機發(fā)光器件EL以及對電極接觸部分CNT。在對電極接觸部分CNT中，有機發(fā)光器件EL的對電極35連接至電源互連線40。