[發明專利]有機發光顯示設備及其制造方法在審
| 申請號: | 201210447572.5 | 申請日: | 2012-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN103426897A | 公開(公告)日: | 2013-12-04 |
| 發明(設計)人: | 樸鮮;李律圭;曹圭湜;宋智勛 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 嚴芬;羅正云 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示 設備 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光顯示設備,包括:
薄膜晶體管,包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極;
有機發光器件,包括連接至所述薄膜晶體管的像素電極、具有發射層的中間層以及對電極;以及
對電極接觸部分,包括聯接區和絕緣區,
在所述聯接區中所述對電極和電源互連線彼此接觸,并且
在所述絕緣區中絕緣層介于所述對電極和所述電源互連線之間,在所述絕緣區中所述絕緣層的一部分穿到所述電源互連線內。
2.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述電源互連線包括:
形成在與所述柵電極相同平面上的第一互連層,以及
位于所述第一互連層上方的第二互連層,所述第二互連層形成在與所述源電極和所述漏電極相同平面上。
3.根據權利要求2所述的有機發光顯示設備,其中所述電源互連線包括多個穿孔,所述絕緣層的所述一部分填入到所述多個穿孔內。
4.根據權利要求3所述的有機發光顯示設備,其中所述多個穿孔從所述第二互連層穿到所述第一互連層。
5.根據權利要求4所述的有機發光顯示設備,進一步包括用于限定所述有機發光器件的像素區的像素限定層,所述絕緣層形成在與所述像素限定層相同平面上。
6.一種制造有機發光顯示設備的方法,該方法包括:
在基板上的對電極接觸部分中形成電源互連線,在所述電源互連線中形成有穿孔;
在所述電源互連線上方形成絕緣層,所述絕緣層的一部分填入到所述穿孔內;以及
在所述絕緣層上方形成對電極,所述對電極通過所述電源互連線上的聯接區接觸所述電源互連線,所述絕緣層不包括在所述聯接區中。
7.根據權利要求6所述的制造有機發光顯示設備的方法,進一步包括形成薄膜晶體管的有源層、柵電極以及源電極和漏電極,
其中形成所述電源互連線包括:
通過利用相同的柵電極形成材料在與所述柵電極相同的平面上形成第一互連層;以及
通過利用相同的源電極和漏電極形成材料在與所述源電極和所述漏電極相同的平面上形成第二互連層。
8.根據權利要求7所述的制造有機發光顯示設備的方法,其中所述穿孔包括形成在所述電源互連線中的多個穿孔。
9.根據權利要求8所述的制造有機發光顯示設備的方法,其中所述多個穿孔被形成為從所述第二互連層穿到所述第一互連層。
10.根據權利要求9所述的制造有機發光顯示設備的方法,進一步包括形成用于限定所述有機發光器件的像素區的像素限定層,所述絕緣層形成在與所述像素限定層相同平面上。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210447572.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:抗干擾功率變換器
- 下一篇:用于熱輔助磁記錄(HAMR)介質的下層
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





