[發明專利]一種新的減薄工藝

無效

• 申請號: 201210446571.9
• 申請日: 2012-11-10
• 公開（公告）號: CN103811329A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 王紅亞
• 申請（專利權）人: 王紅亞
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種新的減薄工藝，屬于LED生產領域。

背景技術

????藍光LED生產中廣泛應該藍寶石作為襯底，用該襯底具有高溫穩定性好、機械強度高、易于加工和生產技術成熟等優點，但藍寶石襯底硬度大，且需要將襯底厚度從400um減薄至100um左右，需要的精度很高，且減薄完后芯片容易碎裂，導致后續加工成本增大。

發明內容

本發明針對現有技術存在的不足，提供一種新的減薄工藝。

本發明解決上述技術問題的技術方案如下：一種新的減薄工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下：

（1）?????上蠟：用氮氣槍吹凈芯片表面，氣壓0.3MPa，將蠟棒和陶瓷盤加熱至100℃，再將蠟滴涂在盤上，每片消耗0.2g蠟，將芯片貼在陶瓷盤上，鋪蓋3張無塵紙，壓盤加壓2min，壓力0.6MPa，之后冷卻至35℃，即可取出陶瓷盤，上蠟后蠟層厚度為1-3um；

（2）?????去蠟：使用小無塵紙和無水乙醇擦拭芯片表面殘蠟；

（3）?????粗磨：用無水乙醇和無塵紙將陶瓷盤背面以及粗磨機工作盤擦拭干凈，開始研磨，砂輪盤轉速為600rad/min，工作盤轉速120rad/min,砂輪盤推進速率0.3-0.6um/s，分三步進行研磨，第一步測厚6片，研磨前修盤，第二、三步測厚1片，邊磨邊修，研磨完畢后，純水沖洗陶瓷盤，氮氣槍吹凈陶瓷盤和工作盤；

（4）?????精磨：擦拭陶瓷盤背面及細磨機吊臂吸盤，開始研磨，銅盤轉速為60rad/min，吊臂轉速為45rad/min，吊臂壓力為45kg，研磨液噴吐量為3mL/min，磨好后，使用毛刷、純水和碳酸鈉刷洗，氮氣槍吹凈陶瓷盤表面，無塵紙擦干背面；

（5）?????推片：將陶瓷盤放在加熱板上加熱，溫度設定95℃，加熱2min，溫度到達95℃時用刀片和鑷子將芯片推下，放入傳片盒；

（6）清洗：將推下的芯片放入花籃，準備清洗，藥品倒入燒杯1800ml，水浴加熱藥劑，水浴溫度為75℃，丙酮一清洗藥劑預熱5min，丙酮二清洗和乙醇清洗藥劑需預熱5min，芯片在丙酮一中煮8min，再在丙酮二中煮5min，之后在乙醇中煮5min，最后60℃熱氮吹干，氣壓0.1MPa，每杯藥品只煮兩個花籃，吹干后取出芯片放入傳片盒。

本發明的有益效果是：本工藝通過改進減薄順序及減薄時間，進一步提高了減薄的精度，保證在減薄過程中不會出現碎片，從而提高了芯片良率，降低生產成本。

具體實施方式

以下對本發明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。

一種新的減薄工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下：

（1）?????上蠟：用氮氣槍吹凈芯片表面，氣壓0.3MPa，將蠟棒和陶瓷盤加熱至100℃，再將蠟滴涂在盤上，每片消耗0.2g蠟，將芯片貼在陶瓷盤上，鋪蓋3張無塵紙，壓盤加壓2min，壓力0.6MPa，之后冷卻至35℃，即可取出陶瓷盤，上蠟后蠟層厚度為1-3um；

（2）?????去蠟：使用小無塵紙和無水乙醇擦拭芯片表面殘蠟；

（3）?????粗磨：用無水乙醇和無塵紙將陶瓷盤背面以及粗磨機工作盤擦拭干凈，開始研磨，砂輪盤轉速為600rad/min，工作盤轉速120rad/min,砂輪盤推進速率0.3-0.6um/s，分三步進行研磨，第一步測厚6片，研磨前修盤，第二、三步測厚1片，邊磨邊修，研磨完畢后，純水沖洗陶瓷盤，氮氣槍吹凈陶瓷盤和工作盤；

（4）?????精磨：擦拭陶瓷盤背面及細磨機吊臂吸盤，開始研磨，銅盤轉速為60rad/min，吊臂轉速為45rad/min，吊臂壓力為45kg，研磨液噴吐量為3mL/min，磨好后，使用毛刷、純水和碳酸鈉刷洗，氮氣槍吹凈陶瓷盤表面，無塵紙擦干背面；

（5）?????推片：將陶瓷盤放在加熱板上加熱，溫度設定95℃，加熱2min，溫度到達95℃時用刀片和鑷子將芯片推下，放入傳片盒；

（6）清洗：將推下的芯片放入花籃，準備清洗，藥品倒入燒杯1800ml，水浴加熱藥劑，水浴溫度為75℃，丙酮一清洗藥劑預熱5min，丙酮二清洗和乙醇清洗藥劑需預熱5min，芯片在丙酮一中煮8min，再在丙酮二中煮5min，之后在乙醇中煮5min，最后60℃熱氮吹干，氣壓0.1MPa，每杯藥品只煮兩個花籃，吹干后取出芯片放入傳片盒。

以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。