[發(fā)明專利]一種新的減薄工藝無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210446571.9 | 申請(qǐng)日： | 2012-11-10 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103811329A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王紅亞 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 王紅亞 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/304 | 分類號(hào)： | H01L21/304;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 264006 *** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 工藝 | ||
1.一種新的減薄工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下：
(1)上蠟：用氮?dú)鈽尨祪粜酒砻妫瑲鈮?.3MPa，將蠟棒和陶瓷盤加熱至100℃，再將蠟滴涂在盤上，每片消耗0.2g蠟，將芯片貼在陶瓷盤上，鋪蓋3張無(wú)塵紙，壓盤加壓2min，壓力0.6MPa，之后冷卻至35℃，即可取出陶瓷盤，上蠟后蠟層厚度為1-3um；
(2)去蠟：使用小無(wú)塵紙和無(wú)水乙醇擦拭芯片表面殘蠟；
(3)粗磨：用無(wú)水乙醇和無(wú)塵紙將陶瓷盤背面以及粗磨機(jī)工作盤擦拭干凈，開(kāi)始研磨，砂輪盤轉(zhuǎn)速為600rad/min，工作盤轉(zhuǎn)速120rad/min,砂輪盤推進(jìn)速率0.3-0.6um/s，分三步進(jìn)行研磨，第一步測(cè)厚6片，研磨前修盤，第二、三步測(cè)厚1片，邊磨邊修，研磨完畢后，純水沖洗陶瓷盤，氮?dú)鈽尨祪籼沾杀P和工作盤；
(4)精磨：擦拭陶瓷盤背面及細(xì)磨機(jī)吊臂吸盤，開(kāi)始研磨，銅盤轉(zhuǎn)速為60rad/min，吊臂轉(zhuǎn)速為45rad/min，吊臂壓力為45kg，研磨液噴吐量為3mL/min，磨好后，使用毛刷、純水和碳酸鈉刷洗，氮?dú)鈽尨祪籼沾杀P表面，無(wú)塵紙擦干背面；
(5)推片：將陶瓷盤放在加熱板上加熱，溫度設(shè)定95℃，加熱2min，溫度到達(dá)95℃時(shí)用刀片和鑷子將芯片推下，放入傳片盒；
(6)清洗：將推下的芯片放入花籃，準(zhǔn)備清洗，藥品倒入燒杯1800ml，水浴加熱藥劑，水浴溫度為75℃，丙酮一清洗藥劑預(yù)熱5min，丙酮二清洗和乙醇清洗藥劑需預(yù)熱5min，芯片在丙酮一中煮8min，再在丙酮二中煮5min，之后在乙醇中煮5min，最后60℃熱氮吹干，氣壓0.1MPa，每杯藥品只煮兩個(gè)花籃，吹干后取出芯片放入傳片盒。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
